大功率MOSFET场效应管、IGBT管栅极驱动芯片EG2132

岳占贵

大功率MOSFET场效应管、IGBT管栅极驱动芯片EG2132
易板  于 2024-03-27 23:15:05 发布
本文介绍了EG2132这款针对大功率驱动的栅极驱动芯片，其具有半桥驱动能力强、电路简洁、成本效益高的特点，特别适合PWM驱动应用。它支持高频操作，配备HIN/LIN双通道控制，能有效降低损耗并提供灵活的驱动方案。摘要由CSDN通过智能技术生成栅极驱动芯片EG2132，做电源、电机驱动等都离不开栅极专用驱动集成电路，PWM驱动的情况下，用IO直接驱动大功率的MOSFET或IGBT，管子损耗会比较大，且频率可能上不去，那么就要使用专门的驱动芯片。
推荐原因：半桥驱动能力强、电路简单、批量价格0.39元，香不香？另外HIN/LIN分开驱动，在某些情况下，驱动更灵活。
电路简单
特点
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 300V
适应 5V、3.3V 输入电压
最高频率支持 500KHZ
输出电流能力 IO+/- 1.0A/1.5A
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出
LIN输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出
封装形式：SOP8
EG2132引脚定义
引脚描述
应用电路

wangqian166

没看懂得，输入电压是多少V的啊

603599910

用了很多EG2104做产品,还是单PWM输入的省事稳定,这个还要上下臂同时控制.