罗姆GaN芯片拿下大单！村田5.5kW服务器电源首发

Meise

"AI服务器的胃口越来越大，供电系统得跟上进化速度了！"2025年2月20日，日本半导体大厂罗姆正式宣布，其最新款650V耐压GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）将应用于村田制作所集团开发的5.5kW级AI服务器电源模块。这款采用TOLL封装的新元件，凭借独特散热结构解决了高功率密度下的温控难题。

随着英伟达H100等高性能GPU的普及，单台AI服务器的功耗正以肉眼可见的速度攀升。罗姆的EcoGaN系列产品线瞄准了这个需求，通过优化半导体材料特性，在保持5.5kW输出能力的同时，使电源系统的整体体积比传统方案缩减近四成。此次被采用的TOLL封装器件，内部采用铜片直连技术，将热阻值降低了15-20%。

"这颗芯片让我们的电源设计有了质的飞跃。"村田集团旗下Murata Power Solutions的技术专家透露，新方案利用氮化镓材料的高速开关特性，成功将电源转换器的工作频率提升30%，这使得配套的电磁元件体积得以显著缩小。在实际应用中，该技术可减少约20%的周边元器件使用量。

值得注意的是，这款TOLL封装的650V GaN HEMT采用了独创的铜夹焊接技术，将热阻降低了20%。这意味着在满负荷运行时，芯片温度可比同类产品低15摄氏度，这对于需要7×24小时运转的数据中心来说至关重要。

随着全球AI算力需求持续暴增，高效能电源解决方案已成刚需。罗姆与村田的这次合作，不仅为5.5kW级电源树立了新基准，更预示着第三代半导体在数据中心领域进入规模化应用阶段。目前，搭载该芯片的电源产品已进入最终测试环节，预计2025年第三季度可实现量产交付。

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这个个头 才650瓦 ？