内存条开始"飙车"了！三星LPDDR5X跑出12.7GT/s新极速

Meise · 发表于 2025-2-22 11:02:43

本帖最后由 Meise 于 2025-2-22 12:27 编辑

"时钟信号相位偏差必须控制在皮秒级，这相当于光在头发丝粗细的距离里传播的时间。"三星工程师在国际固态电路大会（ISSCC）上公开了新一代LPDDR5-Ultra-Pro内存的技术密码。这款采用第五代10nm级制程的16Gb内存芯片，以12,700MT/s的传输速率刷新行业纪录，较2021年LPDDR5X标准初始速度提升近50%。

实现突破的核心在于两项创新技术：四相位自校准环路与交流耦合收发均衡。前者如同给内存装上了"动态平衡仪"，通过0°、90°、180°、270°四个相位的实时校准，将时钟信号偏差控制在±1.1皮秒内。测试数据显示，该技术使读写时序裕度分别达到0.71和0.68单位间隔，确保在1.05V工作电压下稳定运行。

面对12.7GT/s超高传输速率带来的信号衰减难题，三星开发出ACCB+ACCE+ACCP三级信号增强系统。这套方案在时钟缓冲器、接收端和发射端分别部署专用电路，通过预加重和均衡补偿技术，将有效信号强度提升2.3倍。实验室数据显示，即便在0.9V低压条件下，芯片仍能维持10.7GT/s的稳定传输。

虽然16Gb容量在移动端略显保守（三星2024年已量产32Gb颗粒），但其低功耗特性在边缘计算场景优势凸显。官方资料显示，该内存已适配LPCAMM2模块，主要面向AI推理加速、AR/VR设备及微型服务器市场。相比传统DDR5方案，新内存的能效比提升40%，特别适合空间受限的嵌入式系统。

从2019年LPDDR5初代6.4GT/s，到如今突破12GT/s大关，移动内存五年间完成两次技术迭代。值得注意的是，此次三星并未等待JEDEC更新标准，而是通过自主研发实现超规范性能。这种"技术先行"策略或将推动行业重新定义LPDDR5X的速度上限，为下一代存储技术演进埋下伏笔。