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在COMPUTEX 2025开展第2天(5月21日),慧荣科技披露了专为消费级市场打造的全新固态硬盘主控方案SM2504XT。这款采用台积电6纳米工艺的芯片,通过架构优化实现了性能与功耗的精准平衡——理论最高连续读取速度11.5GB/s,写入速度11.0GB/s,与初代PCIe 5.0旗舰产品处于同一性能层级。
技术规格显示,SM2504XT主控搭载三核Arm Cortex-R8架构处理器,重点优化了多任务处理能力。其四通道NAND闪存接口支持3600MT/s传输速率,可适配当前主流3D TLC/QLC颗粒。该主控部署了第二代NANDXtend纠错引擎,采用4KB单元的LDPC编码方案,可将闪存原始误码率降低两个数量级。
为提升能效表现,慧荣技术团队引入三项核心技术:
双轨指令架构:将NAND接口的命令与地址路径物理分离,实现并行操作,使随机访问延迟减少18%
智能温控策略:全负载状态下功耗控制在4.7W以内,较同类产品节能24%
无缓存加速技术:通过HMB机制借用系统内存管理映射表,省去DRAM缓存成本
官方性能测试数据显示,该主控随机存取理论峰值可达170万次读取IOPS与200万次写入IOPS。待机功耗1.2mW的设计,使其成为目前能效比最优的PCIe 5.0主控方案,较前代SM2508产品能效提升12%。
慧荣现场技术资料证实,SM2504XT已完成NVMe 2.0协议的全栈验证,支持Host Memory Buffer技术规范。对于追求性价比的用户而言,这款主控的量产将推动PCIe 5.0固态硬盘进入主流消费市场,在保持高性能的同时显著降低设备功耗与发热量。
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