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[业界] SK海力士终结三星33年DRAM霸主地位,HBM独家供应英伟达成胜负手

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发表于 3 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
2025年全球存储芯片市场上演了一出“三十年河东,三十年河西”的戏码——韩国SK海力士(SK Hynix)以​​36%的市场份额​​把老霸主三星电子(Samsung Electronics)挤下神坛,终结了对方自1992年起对DRAM市场长达33年的统治。这场权力更迭的关键引擎,正是当前AI算力革命中的“硬通货”​​高带宽内存(HBM)​​。

​​一、数据背后的王朝更替​​
历史性逆转​​:2025年第一季度,SK海力士DRAM市场份额冲上​​36%​​,三星则滑落至​​34%​​,美光(Micron)以​​25%​​位居第三。而到了上半年末,三星份额进一步暴跌至​​32.7%​​,较2024年同期的41.5%骤降​​8.8个百分点​​,创下自1999年有记录以来最大跌幅。

业绩两极分化​​:SK海力士美国子公司2025年上半年销售额达​​177.9亿美元​​,同比激增​​103%​​。反观三星,其2025年第一季度DRAM营收环比下滑​​19%​​,仅录得​​91亿美元​​。

二、HBM:AI时代的“存储核弹”​​
SK海力士登顶的关键在于​​对HBM生态的绝对掌控​​:

1.技术卡位​​:2025年3月,SK海力士成为英伟达Blackwell Ultra架构GPU的​​独家HBM3E供应商​​,其12层堆叠HBM3E芯片速度高达​​9.6Gbps​​,容量提升50%。

2.生态绑定​​:该公司独占英伟达​​70%的HBM订单​​,HBM产品占其DRAM总收入比例从2019年的3%飙升至2025年的​​42%​​。而三星多次未能通过英伟达HBM3E认证,甚至被谷歌临时替换为美光产品。

3.产能壁垒​​:SK海力士投资​​38.6亿美元​​在韩国清州新建M15X晶圆厂,专攻HBM量产,预计2025年11月投产。其HBM良率达​​80%​​,大幅领先竞争对手。

三、三星的溃退:技术断档与战略失误​​
三星的困境源于​​双重结构性危机​​:

•​​传统业务失血​​:其80%-90%营收依赖DDR4等传统产品,但中国长鑫存储等厂商崛起引发价格战,迫使三星于2025年4月停产8Gb LPDDR4芯片。

•HBM认证困局​​:三星12层HBM3E量产时间反复推迟至2025年第三季度,而SK海力士同款产品早在2024年9月已量产。技术滞后导致其HBM3E市占率不足​​10%​​。

四、地缘政治:夹缝中的三星​​
Z美博弈加剧了三星的被动:

游说困局​​:2024年豪掷​​698万美元​​游说美国对华强硬派议员,但特朗普废止《芯片法案》致其德州工厂补贴落空。

关税风险​​:三星西安工厂占全球NAND产能40%,若美国对中国芯片加征25%关税,其每年成本将增加​​2万亿韩元​​。

​​五、未来战局:技术纵深定胜负​​

HBM4技术竞赛​​:SK海力士计划2025年下半年量产​​16层HBM4​​,带宽提升至​​2.56TB/s​​;三星则押注混合键合技术,但量产进度落后至少半年。

中国变量​​:长鑫存储加速推进HBM技术,或打破韩企垄断格局。

​​需求隐忧​​:若2026年全球AI服务器出货增速低于20%,当前HBM年均82%的增长预期将面临挑战。

结语​​:这场存储王座更迭绝非偶然——当三星还在为DDR4的利润缩水焦头烂额时,SK海力士早已把筹码全押在了HBM这张“AI门票”上。技术路线的选择,终究决定了商业竞争的终局。而随着HBM4量产倒计时启动,存储巨头的技术代差或将进一步拉大,留给三星反超的时间,真的不多了。

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