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2025年全球存储芯片市场上演了一出“三十年河东,三十年河西”的戏码——韩国SK海力士(SK Hynix)以36%的市场份额把老霸主三星电子(Samsung Electronics)挤下神坛,终结了对方自1992年起对DRAM市场长达33年的统治。这场权力更迭的关键引擎,正是当前AI算力革命中的“硬通货”高带宽内存(HBM)。
一、数据背后的王朝更替
历史性逆转:2025年第一季度,SK海力士DRAM市场份额冲上36%,三星则滑落至34%,美光(Micron)以25%位居第三。而到了上半年末,三星份额进一步暴跌至32.7%,较2024年同期的41.5%骤降8.8个百分点,创下自1999年有记录以来最大跌幅。
业绩两极分化:SK海力士美国子公司2025年上半年销售额达177.9亿美元,同比激增103%。反观三星,其2025年第一季度DRAM营收环比下滑19%,仅录得91亿美元。
二、HBM:AI时代的“存储核弹”
SK海力士登顶的关键在于对HBM生态的绝对掌控:
1.技术卡位:2025年3月,SK海力士成为英伟达Blackwell Ultra架构GPU的独家HBM3E供应商,其12层堆叠HBM3E芯片速度高达9.6Gbps,容量提升50%。
2.生态绑定:该公司独占英伟达70%的HBM订单,HBM产品占其DRAM总收入比例从2019年的3%飙升至2025年的42%。而三星多次未能通过英伟达HBM3E认证,甚至被谷歌临时替换为美光产品。
3.产能壁垒:SK海力士投资38.6亿美元在韩国清州新建M15X晶圆厂,专攻HBM量产,预计2025年11月投产。其HBM良率达80%,大幅领先竞争对手。
三、三星的溃退:技术断档与战略失误
三星的困境源于双重结构性危机:
•传统业务失血:其80%-90%营收依赖DDR4等传统产品,但中国长鑫存储等厂商崛起引发价格战,迫使三星于2025年4月停产8Gb LPDDR4芯片。
•HBM认证困局:三星12层HBM3E量产时间反复推迟至2025年第三季度,而SK海力士同款产品早在2024年9月已量产。技术滞后导致其HBM3E市占率不足10%。
四、地缘政治:夹缝中的三星
Z美博弈加剧了三星的被动:
游说困局:2024年豪掷698万美元游说美国对华强硬派议员,但特朗普废止《芯片法案》致其德州工厂补贴落空。
关税风险:三星西安工厂占全球NAND产能40%,若美国对中国芯片加征25%关税,其每年成本将增加2万亿韩元。
五、未来战局:技术纵深定胜负
HBM4技术竞赛:SK海力士计划2025年下半年量产16层HBM4,带宽提升至2.56TB/s;三星则押注混合键合技术,但量产进度落后至少半年。
中国变量:长鑫存储加速推进HBM技术,或打破韩企垄断格局。
需求隐忧:若2026年全球AI服务器出货增速低于20%,当前HBM年均82%的增长预期将面临挑战。
结语:这场存储王座更迭绝非偶然——当三星还在为DDR4的利润缩水焦头烂额时,SK海力士早已把筹码全押在了HBM这张“AI门票”上。技术路线的选择,终究决定了商业竞争的终局。而随着HBM4量产倒计时启动,存储巨头的技术代差或将进一步拉大,留给三星反超的时间,真的不多了。
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