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市场研究机构 TechInsights 本周二发布的报告显示,在 2024 年全球前 20 大半导体企业中,英特尔仍是最大研发(R&D)支出企业,三星电子研发支出增幅最大。 数据显示,三星去年研发投入达 95 亿美元(IT之家注:现汇率约合 678.57 亿元人民币),较 2023 年的 55 亿美元增长 71.3%,排名从第七位升至第三位。 英特尔 2024 年投入 165.5 亿美元(现汇率约合 1182.13 亿元人民币),但同比增幅仅为 3.1%,远低于同行。英伟达则以 125 亿美元(现汇率约合 892.85 亿元人民币)位列第二,同比增长 47%。 台积电以 63.6 亿美元(现汇率约合 454.28 亿元人民币)排名第七,同比增长 8.8%。SK 海力士连续第二年位列第十,研发支出 33.3 亿美元(现汇率约合 237.86 亿元人民币),同比增长 32.7%。 其中,英特尔作为唯一一家在美国本土同时进行芯片设计和制造的企业,目前重点投入在于提升其 18A 工艺的良率,但该公司去年仍录得 188 亿美元(现汇率约合 1342.85 亿元人民币)亏损。 整体来看,2024 年全球前 20 大半导体企业合计研发投入 986.8 亿美元(现汇率约合 7048.52 亿元人民币),同比增长 17%,约占行业总研发支出的 96%。其中 15 家企业增加了投入,5 家则有所削减。 从研发投入与营收占比来看,美国企业排名靠前,英特尔、博通、高通和 AMD 位居前列。前 20 家企业的平均比例为 15.8%。其中,三星为 11.7%,SK 海力士为 6.99%,为该组最低。其中 SK 海力士研发投入增长逾 32%,但由于营收几乎翻倍,故研发投入占比反而有所下降。 TechInsights 预计,英伟达可能在明年超过英特尔,成为全球研发支出最高的半导体企业。英特尔去年将 33.6% 的营收投入研发,但其新任 CEO 陈立武已开始削减开支。相比之下,英伟达将 1156.2 亿美元营收中的 10.8% 用于研发,并已连续四年大幅增加投资。 路透社上个月还报道称,相对于英特尔的巨额投入,其 18A 工艺目前仍存在良率偏低的风险。 根据 X 用户 @Kurnalsalts 分享的数据,Intel 18A 工艺的逻辑晶体管密度仅 184.21MTr / mm2,是同行之中最低的。此前 TechInsights 分析的数据却显示,在高密度逻辑单元晶体管密度方面,台积电 2nm 为 313 MTr / mm2、Intel 18A 为 238 MTr / mm2,三星 2nm 则为 231 MTr / mm2。
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