芯片制造上演“装备竞赛”，SK海力士抢先装机High-NA EUV光刻机

Meise

芯片圈最近可是半点没消停，大佬们都在暗地里较着劲呢！这次是SK海力士站出来高调宣布——咱们可不是吃素的，已经在韩国利川的M16工厂里，把ASML最新的High-NA EUV光刻系统给装上了，9月3号还热热闹闹办了一场装机庆典。这不只是摆个样子，而是实打实要用来造存储芯片的！

这台被行业瞩目的大机器，型号是ASML的TWINSCAN EXE:5200B，号称是“全球第一台专为大规模量产设计的高数值孔径极紫外光刻机”。SK海力士这边也挺自豪，说从2021年做第四代10纳米级DRAM（也就是1anm）开始，就用上了EUV光刻技术，如今步子迈得更大，直接玩起更尖端的High-NA。

说到High-NA EUV，它到底厉害在哪？最硬核的升级是“数值孔径”（Numerical Aperture）从原来的0.33一下子提到0.55，提升了整整40%！别看数字好像不高，带来的效果可是实打实的：能做出比现在小1.7倍的晶体管，晶体管密度更是之前的2.9倍。这简直像是给芯片“瘦身增肌”，同样大小的芯片能塞进更多计算单元。

有了这台新设备，SK海力士明显是打算在下一代存储芯片的研发上提速，既要性能更强，也要成本更有竞争力。他们毫不掩饰自己的野心：就是要靠这个技术在高端存储市场站稳脚跟，专攻那些高附加值的产品。

不过这场“装备竞赛”可不只一家在玩。另一边，三星也在悄悄布局——根据韩国媒体《金融新闻》的爆料，他们今年3月就把第一台High-NA EUV设备（型号EXE:5000）运进了华城工厂。另一家媒体《The Bell》则透露，三星正在努力把这项技术用在1.4纳米芯片代工上，相关技术正在全力开发，目标是2027年实现量产。

不过有意思的是，老对手三星也引进了High-NA EUV（型号EXE:5000），但在存储芯片这块却显得格外谨慎。一边是高调进军、全力押注的SK海力士，另一边是步步为营、仔细权衡的三星。这场高端光刻设备的竞赛，早已不只是技术之争，更是一场围绕未来市场的战略博弈。谁能率先实现稳定量产、冲出良率迷雾，谁就有可能在下一轮存储大战中拿下主导权。芯片行业的高端局，真是越来越有看头了。

zrx166

造好了，等着被懂王一锅端。