三安光电8英寸碳化硅生产线全面启动，第三代半导体布局再进一步

Meise

9月5日，三安光电通过其投资者关系平台公布，湖南三安半导体基地的8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线已完成调试并正式投入运营。这一进展标志着三安在第三代半导体材料领域的大规模制造能力迈入新阶段。

从动工到投产，这条8英寸碳化硅芯片生产线用了不到一年时间，建设速度超出业内预期。截至目前，湖南三安已构建起覆盖碳化硅衬底、外延到芯片制造的比较完整的产业链。具体产能包括：6英寸碳化硅晶圆月产能达1.6万片，8英寸衬底月产能为1000片，8英寸外延片月产能为2000片。此外，该基地还具备每月2000片硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆的制造能力。

整个湖南三安碳化硅项目总投资高达160亿元人民币，致力于建设一个同时兼容6英寸和8英寸碳化硅材料的垂直集成制造平台。待项目完全达产后，预计可实现年产36万片6英寸碳化硅晶圆和48万片8英寸碳化硅晶圆的生产规模，将显著提升国内在碳化硅领域的自主供应能力。

值得一提的是，今年2月27日，三安光电与半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）共同宣布，双方在重庆合资建设的碳化硅晶圆厂也已完成产线调试。这座工厂计划于今年第四季度实现大规模量产，将成为中国首条专注于8英寸车规级碳化硅功率芯片的规模化生产线。全面产能爬坡后，预计每周可生产约1万片符合汽车级质量标准的碳化硅晶圆。

三安光电的这一系列动作，不仅展示了企业在第三代半导体领域的战略布局，也反映了国内半导体产业在宽禁带材料方面的快速进步。随着新能源汽车、5通信、工业控制等市场对碳化硅器件需求的快速增长，三安光电的产能释放将有助于缓解国内市场对进口碳化硅器件的依赖局面。

从全球范围来看，碳化硅半导体市场正迎来快速发展期。主要国际半导体企业都在积极扩大碳化硅产能，而三安光电的进展表明中国企业正在这场竞争中加速追赶。虽然与国际领先企业相比仍存在一定差距，但完整的产业链布局和持续的技术创新正在逐步缩小这些差距。

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