SK海力士启动1b DRAM试产：内存界的扩产与涨价博弈​

麻薯滑芝士

2025年第三季度末的内存市场，仿佛一场冰与火的交响乐：一边是SK海力士在韩国清州M15X工厂紧锣密鼓安装新产线，准备用1b工艺DRAM争夺HBM市场；另一边是三星、美光等巨头开始将LPDDR5、eMMC等芯片报价单往上改了15%-30%。这感觉就像超市一边扩建仓库囤货，一边给所有商品换标价牌——玩家们囤内存条的速度，快赶不上厂家调价的手速了。

一、清州工厂的“极限操作”：1b DRAM试产线背后​​
根据韩国媒体《The Bell》的爆料，SK海力士正在清州M15X工厂搭建一条全新的1b DRAM试产线，专门应对“卖爆了”的HBM（高带宽内存）需求。设备安装预计今年11月收尾，初步规划月产1万片晶圆。别看数字不算夸张，这在HBM赛道堪称“精准卡位”——毕竟HBM需要堆叠DRAM芯片，工艺微缩到1b级别（约10纳米级）意味着更低的功耗和更高的密度，正是AI显卡和服务器渴求的“干粮”。

有意思的是，三大内存巨头的技术路线开始“分道扬镳”：三星押注更先进的1c节点备战未来的HBM4，而SK海力士和美光则坚持打磨1b工艺。据《Aju News》分析，这种差异背后是厂商对AI内存市场爆发节点的不同判断——有人选择“抢跑未来”，有人“吃透当下”。毕竟谁能想到，几年前还被认为“过剩”的DRAM产能，如今会因ChatGPT们的数据洪流变得寸土寸金？

​​二、涨价潮蔓延：从DRAM到NAND的“全方位调价”​​
就在扩产消息流出的同时，TrendForce援引《SeDaily》和《韩国经济新闻》的报告指出，SK海力士已启动客户价格谈判。虽然官方尚未发布公告，但行业内部普遍认为，内存圈的“涨价接力赛”已形成共识：

​​美光​​在9月打了头阵，向渠道伙伴透露DRAM涨价20%-30%；

​​三星​​紧随其后，通知大客户第四季度LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品合约价上调15%-30%；

​​NAND闪存​​也未幸免，eMMC和UFS合约价预计爬升5%-10%。

这番操作被业内调侃为“内存界的通胀联动”，就连QLC SSD也因AI推理工作负载的需求爆发，产能利用率持续拉升到2026年。TrendForce预测，企业级SSD供应可能2026年出现紧张——毕竟AI服务器吞存储的速度，比玩家下载3A游戏还凶残。

​​三、技术路线博弈：1b、1c工艺背后的战略考量​​
为什么SK海力士选择此时加码1b DRAM？答案藏在HBM的“叠叠乐”特性里。HBM需要将多颗DRAM芯片像摞煎饼一样堆起来，工艺越先进，单芯片厚度和功耗越低，整体性能越容易突破。1b工艺虽是“改良派”而非“革命派”，但量产成熟度高，能快速填补HBM2E到HBM3的产能缺口。反观三星的1c工艺，更瞄准未来HBM4的性能天花板，风险与回报并存。

这种分化类似手机芯片界的“台积电VS三星”——有人追求稳定出货，有人豪赌技术跨越。不过目前来看，AI市场实在太饿，客户们可能更关心“什么时候能拿到货”而非“明年工艺领先几个百分点”。这也解释了为什么SK海力士边扩产边谈涨价：供需失衡时，卖方市场拥有定价底气。

​​四、行业影响漫谈：从显卡到手机的连锁反应​​
内存涨价的涟漪正扩散到整个电子圈：显卡厂商可能被迫调整显存配置，手机品牌中高端机型或收缩“丐版”存储组合；甚至车企也在担忧车规级eMMC的交付周期。有渠道商吐槽：“现在下单像抢演唱会门票，手慢无还得加价。”

但另一方面，涨价潮也在倒逼技术优化——QLC SSD产能提升意味着大容量固态硬盘价格有望趋稳，而HBM的持续迭代将加速AI训练成本下降。短期阵痛与长期收益之间，行业正在寻找平衡点。

SK海力士的1b DRAM试产线，既是技术竞赛的落子，也是市场博弈的缩影。在AI驱动存储需求狂奔的年代，扩产与涨价如同硬币两面，映射出供应链的焦虑与野心。至于玩家们是该此刻囤条内存“避险”，还是坐等工艺升级后的性价比爆发？或许唯一能确定的是——内存市场这出大戏，接下来几年的剧本只会更跌宕起伏。