三端线性稳压器MST50A25负载调整率与IQ的测试

ziyuan6886

三端线性稳压器MST50A25负载调整率与IQ的测试

1，三端线性稳压器（下文简称为LDO）之前首先提过使用贴片电容串联贴片电阻的方案可以有效的过滤输入浪涌电流，使用该方法可以在一定条件下替代电解电容，然后讲述过LDO的dropout的测试方法，之后又重点讲述LDO的最大带载功率的测试方法，现在以MST50A25为例讲述LDO负载调整率与IQ的测试方法。当HR提出类似如何测量一颗LDO它的静态电流或者负载调整率的时候，很多应聘者都无法准确答出。这归咎于没有很好的理解三端线性稳压器的本质特点，以及对电子元器件和电子导线本身特点没有很重视，从而回答的不是特别全面。

2，当分析一颗芯片是否能满足我们产品的需要时，首先我们要先观看该颗芯片的芯片资料，特别注意的是芯片特点部分，比如MST50A25它的静态电流标称值为200nA，输出电流500mA，那么本次将测试芯片空载至500mA时的负载调整率。

3，MST50A25芯片从其规格书可以看出，该芯片静态电流标称200nA。首先我们需要准备一片芯片GND引脚与PCB板地断开的PCB测试板，然后将电流表串联至芯片GND引脚与PCB板地之间，再将输入电压调节至5V，输出为空载，记录此时的电流值，该电流值即为该芯片在5V输入电压下的静态电流值。该种测试屏蔽了输入和输出电容带来的影响。接法以及测试数据如下图。

                  

4，MST50A25芯片从其规格书可以看出，该芯片输出电流为500mA。那么在测试该芯片负载调整率时，可以测试芯片从空载至满载500mA下的输出变化情况。在测试过程中需注意两点：一、输出电压一定要采用开尔文测试方法，即避免输出导线上通过电流后的线损对测试数据造成影响。二、输入电压与输出电压的差值要大于500mA所对应的dropout值，并且不能大太多，一般建议0.2V以内（主要原因是避免温度调整率干扰到负载调整率）。测试方法与接线如下，本次为简洁仅测量了空载和满载情况，实际测试会采取更多负载电流下的输出电压进行判断。

                          

上图为空载测试输出电压

                           

上图为500mA测试输出电压

5，MST50A25在输入5V下，静态电流170nA。0至500mA时输出变化1mV左右，即每毫安变化0.002mV左右，也可换算成百分比方式进行描述。最后对上述情况进行总结：(1)测试LDO静态电流最好采用电流表串联在芯片GND和PCB板GND之间的方法，这样可以屏蔽掉输入与输出电容带来的干扰。（2）在测试负载调整率时输出电压的采集一定要使用开尔文的方法进行测试，以屏蔽线损对测试数据的影响。（3）在测试负载调整率时输入电压的选取要恰到好处尽可能避免温度调整率或dropout不足带来的影响。