三星英伟达存储联盟提速：V10批量，V11冲刺，李在镕黄仁勋旧金山见

麻薯滑芝士

哈喽！各位每天盯着美股和韩国股市存储器板块走势图、三星电子和SK海力士的股价曲线比自己的心电图还熟悉、连财报电话会议的时间都倒背如流的散户投资者和基金操盘手，各位在公司数据中心管着成百上千块企业级固态硬盘组成的存储阵列、天天在读写延迟和采购预算之间反复权衡、做梦都在调优存储拓扑的IT运维老哥和存储架构师，各位在AI大模型公司天天跟推理部署较劲、被KV Cache指数级暴涨的存储需求折磨到发际线节节后退的算法工程师和系统架构师，各位常年泡在半导体行业论坛里、对每一代V-NAND的堆叠层数、单元架构和量产良率都如数家珍的硬核数码爱好者和产业链观察者，还有那些纯粹是看到“三星”和“英伟达”这两个名字放在一起就觉得肯定有大新闻、忍不住点进来看一眼到底发生了什么事的路人网友——今天这篇东西，你们谁都别急着划走，因为三星和英伟达这对已经在多个领域深度绑定的老搭档，又在存储领域搞出了一连串让人目不暇接的大动作，从第九代V-NAND的产能急速扩张到第十代产品的正式量产供货，再到五百层级别的第十一代进入试生产阶段，信息量可以说是相当爆炸，值得从头到尾仔仔细细捋一遍。

先说说三星和英伟达这两家公司目前的合作版图到底铺得有多宽。三星电子和英伟达之间原本就已经建立起了一条覆盖多个重要半导体领域的深度合作关系——从常规的DRAM内存颗粒，到专门为AI加速卡定制的高带宽内存HBM，再到半导体代工制造也就是所谓的Foundry业务，双方在这些方向上都有着多年积累下来的深厚合作基础和互信关系。而现在，这条合作链条上又多了一个分量极重的环节：NAND闪存的大规模供应。根据韩国经济日报Sedaily在2026年7月20日发布的一篇独家报道，三星正在以前所未有的力度扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作伙伴关系，而且这一次的动作来得又快又猛，涉及到的产品线跨度从第八代一路延伸到了第十一代，可以说是把家底都亮出来了。

这篇报道里披露的第一个重磅信息是，三星电子目前已经建立起了每月超过10万片晶圆的V-NAND生产能力。这个产能规模放在全球范围内来看，都属于毫无疑问的第一梯队，能跟它扳手腕的对手屈指可数。更关键的是，三星已经被确认正式启动了第十代V-NAND产品也就是V10的量产，并且已经开始向英伟达实际供货。这意味着三星在NAND闪存的技术迭代速度和产能爬坡节奏上，并没有因为之前经历过的一些波折而放慢脚步，反而是踩下了油门，在对手还在追赶V9的时候就已经把V10端上了桌。

从产品结构的分配比例上来看，三星目前做了一个非常清晰的战略倾斜。他们把大约60%的V-NAND产能都分配给了第九代产品V9，将其作为现阶段绝对的主力产品来全力推进。这个比例变化背后的故事很有意思——要知道，仅仅在一年之前，也就是2025年的时候，三星V-NAND产量中的相当大一部分还是由第八代产品V8撑着的，V8才是当时的出货主力。但现在情况已经完全变了天，V8的生产占比已经降到了40%以下，从主角变成了配角。之所以会发生如此迅速的产线切换，根本原因在于以英伟达为首的全球大型科技公司，对AI服务器所用的NAND闪存需求出现了近乎井喷式的爆发增长。为了跟上这股浪潮，三星几乎是毫不犹豫地把生产线重心从V8转移到了V9这边，这种决策速度和执行力，确实体现了一家头部存储厂商的功底。

那三星为什么要在V9的产能扩张上这么拼命、这么不惜血本呢？这背后有一个非常具体、非常直接的驱动力——英伟达即将在今年下半年推出的下一代存储设备，名字叫做Context Memory Storage，缩写是CMX。这个东西到底是什么来头、为什么会让三星如此重视？咱们用大白话把这件事拆开来讲清楚。随着人工智能大模型的推理任务越来越多、越来越复杂，数据中心在处理AI推理的过程中会产生海量的上下文数据，这些数据在技术层面被称为键值缓存，也就是KV Cache。以前这些KV Cache数据是由GPU服务器内部的资源来处理的，但现在的数据规模已经膨胀到了惊人的地步，动不动就是几千TB级别的存储需求，这已经完全超出了GPU服务器自带存储能力的承载范围。于是，配备了大容量固态硬盘的独立存储设备就成了一项不可或缺的基础设施，谁能在这一块卡住身位，谁就能在AI存储的下一轮竞争中占得先机。

英伟达的CMX设备，每一台都塞满了整整576块固态硬盘，总的存储容量可以达到惊人的9600TB。业界普遍预测，光是CMX这一条产品线所需要的NAND闪存需求，就会从今年的3500万TB猛增到明年的1亿TB以上，增幅接近三倍。而三星电子今年的NAND闪存总产量预计将达到大约2.5亿TB。换句话说，三星完全可以凭借自己在全球范围内数一数二的产能规模，稳稳地拿下英伟达CMX项目的核心供应商位置，给英伟达当好这个后方粮仓。这个逻辑是很清楚的——你有需求，我有产能，咱们一拍即合。

说到V9目前所处的量产状态，三星这边的情况也相当不错。报道中指出，三星V9 NAND的良率已经提升到了80%以上，这意味着这款产品已经顺利进入了量产稳定化的阶段，不再是小批量的试产状态。业内分析人士普遍认为，三星已经为中长期的持续供货打下了非常扎实的基础，后续的供应稳定性是有保障的。而且三星位于韩国平泽的第四工厂P4里面，专用于NAND生产的无尘车间还有超过一半的空余空间可以动用，后续完全可以根据需求的增长随时扩建V9生产线。这个后备产能的储备，让三星在面对未来可能出现的需求暴增时有了充足的腾挪余地，不至于临时抱佛脚。

在下一代产品的推进节奏上，三星同样没有丝毫松懈的意思。今年上半年，也就是2026年的前六个月里，三星已经正式启动了V10的规模化生产，并且成功将V10在整体V-NAND产量中的占比拉升到了5%以下的水平。虽然这个比例目前看起来还不算高，但考虑到V10本身的技术复杂度和堆叠难度，能够在半年内就实现从零到接近5%的产出占比，这个推进速度已经相当惊人了，说明三星在V10的工艺成熟度上下了狠功夫。V10的堆叠层数达到了400层级别，相比286层的V9，存储密度提升了50%以上。这意味着在同样大小的芯片物理面积上，V10能装进去的数据量比V9多出一半还多，这对于降低单位存储成本、提升单盘容量上限来说，意义是非常重大的。

更让人瞪大眼睛的是，三星已经悄悄启动了第十一代V-NAND产品V11的试生产。V11被定位为一款目标层数至少在400层保底、最高有望冲击500层的超高堆叠V-NAND产品，是目前三星规划中堆叠层数最高的一代。三星从今年年初就已经启动了V11的试生产流程，并且制定了一个明确的计划：在今年下半年将试产量翻一番。为什么要这么着急地扩大试产规模？目的非常明确——通过扩大试产规模来积累足够多的良率数据和工艺经验，从而加快建立成熟量产体系的速度，争取在竞争对手反应过来之前就把产能爬上去，抢占技术高地。

在材料创新这个维度上，三星也在同步推进，而且这次的突破还挺有里程碑意义的。从V10这一代产品开始，被誉为“梦幻材料”的钼，将在全行业范围内首次实现商业化的大规模应用。钼作为芯片内部布线材料的核心优势在于，它可以把布线的厚度比传统使用的钨材料减少30%到40%。布线越薄，意味着电流传输的效率越高、功耗越低、信号干扰越小，这对于提升芯片的整体性能是有直接帮助的。实际上，三星在两年前也就是2024年推出的V9产品中就已经部分尝试应用了钼，但当时只是小范围的试探性使用，更像是投石问路。到了V10这一代，钼的使用范围将会大幅扩展，成为主流的布线材料，这标志着三星在存储芯片材料工程方面迈出了实质性的一大步。

最后还有一个非常值得关注的动态，涉及到两家公司最高层的直接沟通。据报道，三星电子会长李在镕计划在不久之后，于美国旧金山与英伟达首席执行官黄仁勋再次面对面会晤，讨论双方合作的进一步深化和扩大。这将是李在镕时隔大约九个月之后再次与黄仁勋坐到一张桌子上谈事情，上一次会面还是在去年年底左右。根据了解内情的消息人士透露，双方除了商讨HBM和下一代NAND产品的供应协议之外，还将围绕在韩国国内、包括全南光州等地建设数据中心的相关合作方案进行深入探讨。有业内人士分析指出，英伟达在CMX正式出货前夕已经向三星提出了扩大NAND生产的明确要求，而三星与英伟达之间的联盟关系现在已经覆盖了存储器和代工业务的方方面面，从DRAM到HBM再到NAND再到Foundry，几乎每一个环节都有交集。因此李在镕和黄仁勋之间的这次会面，双方的协作讨论将会比以往任何一次都更加深入、更加务实，谈成的成果也可能比外界预期的更多。

xuguangqi08

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