三星FMS亮出大招：400+层V10闪存+zHBM，AI存储新纪元正式开启

麻薯滑芝士

嗨，各位每天盯着固态硬盘降价信息、恨不得把每GB单价算到小数点后两位的硬件发烧友，那些在数据中心里为了给AI训练集群配够存储带宽而跟采购部门反复拉扯的运维工程师，那些正在为下一代AI芯片设计内存子系统、天天跟HBM规格表打交道的芯片架构师，那些常年跟踪NAND Flash报价、靠预测存储行业周期吃饭的券商分析师，还有那些刚在发布会上吹完自家AI手机本地大模型、正愁存储速度跟不上推理需求的手机产品经理——今天这篇文章，你们要是错过了，下半年跟同行聊技术趋势的时候底气都得矮三分。就在刚刚过去的这个礼拜，2026年8月4号到6号，全球存储行业的年度盛会Future of Memory and Storage（简称FMS）在美国加利福尼亚州圣克拉拉市的圣克拉拉会议中心拉开帷幕。这个展会向来是各家存储巨头秀肌肉的角斗场，今年也不例外。三星电子直接甩出了一整套AI内存解决方案，从400多层堆叠的V10 BV-NAND闪存，到整体性能飙到HBM5八倍的zHBM，再到首次公开亮相的zNAND-O架构，可以说是把未来三到五年的技术家底全抖了出来。与此同时，老对手SK海力士也没闲着，在同一场展会上拿出了全球首款第10代375层4D NAND，每瓦性能提升至原来的3.5倍（也就是提升了2.5倍），还联合闪迪发布了高带宽闪存（HBF）的首个开放标准。这两家韩国存储巨头的正面硬刚，直接把FMS 2026变成了AI存储技术的历史转折点。全球知名半导体市场调研机构TrendForce在2026年8月5号发布的报道，完整记录了这场技术风暴的每一个细节，而三星官方新闻稿和技术博客则为这场发布会提供了第一手权威佐证。

咱们先从三星这次最炸裂的产品说起——V10 BV-NAND。根据三星半导体官网在2026年8月4号发布的官方新闻稿，三星在FMS 2026上正式发布了业界首款堆叠层数超过400层的V-NAND闪存，官方命名为第10代V10 BV-NAND。这里的BV代表Bonding Vertical，也就是键合垂直结构。这款产品的核心突破在于，三星采用了晶圆键合技术，把存储单元和外围电路分别在两片不同的晶圆上制造，然后再精确键合到一起，配合3-Stack三层堆叠工艺，才实现了这个超过400层的超高堆叠架构。要知道，上一代V9的层数是286层，而V10直接跨过了400层大关，这是一个质的飞跃。三星官方在博客中特别提到，这次发布距离三星在2013年Flash Memory Summit上推出业界首款V-NAND技术刚好过去了13年，是三星NAND创新史上的又一个里程碑。根据三星官方技术博客的确认，和上一代V9相比，V10 BV-NAND的存储密度提升了大约58%，同时读写性能和输入输出速度也有明显改善。58%这个数字意味着什么？举个例子，原来用V9闪存做一个30TB的企业级固态硬盘，换成V10之后，同样的物理空间可以装下将近48TB的数据。对于AI数据中心来说，这意味着可以在不增加机架数量的情况下，把存储容量提升一大截。而且这还不是终点——根据《首尔经济日报》在2026年7月20号发布的一篇报道，业内人士透露，三星目前V-NAND月产能已经超过10万片晶圆，正在大规模量产第10代V-NAND（V10）并向英伟达供货，其中约60%的V-NAND产能分配给V9产品，V10产量占比目前不足5%但处于快速爬坡阶段。同时，三星还在加速开发第11代V11 500层级别的V-NAND，下半年试产规模计划翻倍。也就是说，三星不仅在400层这个里程碑上已经跑到了量产阶段，下一站500层也已经提上了日程。对于英伟达来说，AI服务器需要大量的高容量固态硬盘来存储训练数据和推理结果，三星的V10闪存正好能满足这个需求。想象一下，一座大型AI数据中心里有上万块企业级SSD，如果每块盘的容量都能提升58%，那么整体存储密度和能效都会上一个巨大的台阶。根据韩国媒体NewsPim的报道，三星电子在今年第一季度以373.2亿美元营收拿下了DRAM市场38.5%的份额，同时以135.1亿美元营收拿下NAND市场31.6%的份额，稳居全球第一。Counterpoint Research预计，受AI基础设施投资增加的推动，企业级SSD等产品在NAND相关营收中的占比，将从今年第一季度的43%上升到年底的60%以上。这说明NAND在AI数据中心里的重要性正在快速攀升，而三星在V10上的量产领先，正好踩中了这个市场窗口。

三星这次还首次公开展示了zNAND-O，这是一款全新的下一代NAND架构。根据三星官方介绍，zNAND-O是基于V-NAND技术开发的下一代高性能NAND架构，目前提供四层和八层两种版本。它应用了3D封装技术，通过硅通孔（TSV）垂直堆叠多个V-NAND芯片，同时实现高存储密度和高数据加载带宽。这种设计的目标是结合DRAM级别的速度和NAND级别的存储容量。根据三星的介绍，这项技术可以广泛应用于多种AI场景，包括AI PC上的端侧AI推理、AI智能手机的本地大模型运行、AI机器人的实时数据处理，以及AI服务器的加速存储层。简单来说，以后你的手机或者电脑跑本地AI模型的时候，加载速度可能会快到让你感觉不到等待。三星在FMS 2026上展示的zNAND-O属于概念模型阶段，这标志着三星在探索"NAND速度DRAM化"的道路上迈出了关键一步。这种设计特别适合边缘AI环境，支持实时、数据密集型的AI应用——在这些场景下，数据并不总是能传输到集中式数据中心进行处理，本地存储性能的提升直接决定了AI系统能否实时响应。三星电子在FMS 2026开幕式主题演讲中，由闪存产品与技术负责人李镇烨（Jin-Yub Lee）执行副总裁与DRAM设计团队负责人金京伦（Kyungryun Kim）副总裁共同发表了题为《驱动AI革命浪潮：内存与存储架构的3D创新》的演讲，系统阐述了zNAND-O的战略定位。李镇烨在演讲中指出，随着AI从简单的问答式生成式AI快速演进到能够自主规划、推理和行动的智能体AI，上下文窗口和推理链条变得越来越长，AI需要处理的数据量呈指数级增长，存储历史对话和中间计算结果的KV缓存规模也在急剧膨胀。zNAND-O正是为了解决这个痛点而生——它能够在保持接近DRAM读写速度的同时，提供NAND级别的存储容量，从而在不显著增加成本的前提下，大幅提升AI系统的响应速度和本地处理能力。

当然，三星的对手SK海力士也没有坐以待毙。根据SK海力士在FMS 2026期间发布的官方新闻稿，SK海力士在同一场展会上首次公开亮相了正在开发中的第10代375层4D NAND晶圆和产品。这是SK海力士首款应用晶圆键合技术的NAND产品。报道指出，这款新型NAND的每瓦性能比上一代提升了2.5倍，特别适用于对性能和能效都有极高要求的AI数据中心环境。基于这款NAND的企业级固态硬盘（eSSD）预计将在2027年上半年开始量产。财联社在2026年8月7号发布的报道也确认了这一信息，指出SK海力士继321层V9 4D NAND之后的新一代V10 NAND采用375层堆叠设计，计划2027年上半年量产基于该NAND的高性能、大容量企业级固态硬盘。SK海力士的目标很明确，就是要巩固自己在AI存储市场的领导地位。两家韩国巨头在层数上的竞争已经白热化：三星用400+层先声夺人，SK海力士用375层+2.5倍能效紧随其后，而且双方都把量产时间点压得非常近。这场竞赛的结果，将直接决定未来两年内谁能为AI数据中心提供更高密度、更低功耗的存储方案。值得一提的是，SK海力士的4D NAND在能效上的优势尤为突出——2.5倍的能效提升意味着在同样的功耗预算下，数据中心可以部署更多容量的存储设备，或者用更少的电力维持同样的存储规模，这对于运营成本的控制至关重要。此外，SK海力士还在FMS 2026上联合闪迪发布了高带宽闪存（HBF）的首个开放标准规格，意图在HBM和SSD之间建立一个新的存储层级，进一步扩展其在AI存储领域的技术版图。根据发布的规范，HBF提供8层和16层NAND芯片堆叠两种配置，最高支持512GB容量，带宽分为三个等级，可实现约0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展性能，采用行业标准的UCIe互联方案。SK海力士计划2027年初启动基于375层4D NAND的高性能、高容量企业级SSD量产。SK海力士与闪迪的HBF联盟目前已经有谷歌、Tenstorrent等公司深度参与标准制定与技术验证，HBF被定义为介于HBM和SSD之间的全新存储层级，专门承接分层内存架构里的"温数据"，平衡带宽、容量与成本。SK海力士解决方案开发担当金千成（Kim Chun-sung）执行副总裁在发布会上直言："随着AI应用的快速扩散，我们正处在一个必须重新设计整体数据处理结构的节点上。"这句话精准概括了当下存储行业的处境。

除了NAND闪存，三星在HBM（高带宽内存）领域也扔出了两颗重磅炸弹：zHBM和HBM5。根据三星半导体官网在2026年8月4号发布的官方新闻稿，三星推出的zHBM可以实现高达HBM5八倍的性能。这个数字太夸张了，八倍是什么概念？更具体地讲，配合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可以达到HBM5的10倍以上，能效提升3倍，同时热阻降低到HBM5的一半以下。zHBM采用了颠覆性的架构——传统的HBM是和AI加速器并排摆放在同一个平面上，而zHBM则是把HBM直接垂直堆叠在AI加速器的正上方，用高度（Z轴）来缩短数据传输距离。三星采用了HCB混合铜键合工艺实现高精度铜-铜直接键合，搭配多晶圆键合技术，将多片晶圆键合为单一整体结构。更重要的是，zHBM允许客户在内存和AI加速器之间集成自定义的IP模块，这意味着芯片设计公司可以根据自己的AI算法特点，在内存和计算单元之间加入专用的加速逻辑，从而实现针对特定应用的AI半导体设计。这相当于把内存从单纯的存储角色，变成了可以参与计算的智能部件。不过需要客观指出的是，三星电子在FMS 2026上展示的zHBM属于概念模型，三星并未给出具体的量产时间表，最终表现取决于客户验证与良率爬坡进度。三星同时还推出了标准的HBM5。根据三星在FMS 2026上披露的信息，三星在HBM5中引入了名为Heat Path Block（HPB）的新型热管理技术。HPB是一种在HBM核心裸片侧面添加散热结构的技术，专门用来减少热量积聚并提高可靠性，让HBM5在更高频率下稳定运行。三星在HBM领域的布局节奏也值得关注：今年2月，三星使用1c DRAM和4纳米基础裸片技术完成了HBM4的行业首次量产；今年5月，三星又率先向全球客户出货HBM4E样品。这条从HBM4到HBM4E再到HBM5的技术演进路径，清晰地展示了三星在下一代HBM领域重夺领导地位的野心。

除了这些旗舰级产品，三星还在展会上展示了其他几项重要的内存和存储解决方案。根据TrendForce等媒体的报道，三星展出了LPDDR5X-PIM内存。PIM全称是Processing-in-Memory，也就是在内存内部直接进行计算。传统的计算模式是数据从内存搬到CPU或GPU，算完再搬回去，这个过程消耗了大量能源和时间。LPDDR5X-PIM把一部分计算能力直接集成到内存颗粒里，让数据在内存内部就能完成一些简单操作，从而大幅减少数据搬运，提升能效。这款产品是全球首款采用内存内计算技术的LPDDR内存，在FMS 2026上由三星重点展示。另外，根据三星官方新闻稿，展会上还展示了三星最新的企业级存储解决方案，包括PM1763和BM1773两款产品。这两款固态硬盘专为满足AI数据中心日益增长的存储需求而设计。三星在FMS 2026上搭建了一个模拟AI云服务器的展台，展示了约30项技术，其中就包括PM1763和BM1773企业级SSD。可以预见，这些产品未来将会搭载三星最新的V10闪存，在容量和性能上都达到新的高度。对于正在规划下一代数据中心存储架构的IT经理来说，PM1763和BM1773的出现意味着他们有了更多针对AI工作负载优化的选择。根据TrendForce的预测，AI芯片中HBM容量将从现有的96GB和192GB提升到今年的216GB和288GB，而英伟达2027年的"Rubin Ultra"更将配备384GB HBM。这种AI加速器内存容量的快速膨胀，直接拉动了企业级SSD市场的爆发式增长。

现在我们来梳理一下整个事件的脉络。FMS 2026这场展会，三星几乎把所有压箱底的技术都拿出来了：400+层V10 BV-NAND、zNAND-O、zHBM、HBM5、LPDDR5X-PIM、新一代企业级SSD。这一系列动作的背后，有一个明确的驱动力：AI存储需求的爆发。正如三星官方技术博客所指出的，AI正在从简单的问答式生成式AI，快速演进到能够自主规划、推理和行动的智能体AI（Agentic AI）。随着上下文窗口和推理链条变得越来越长，AI需要处理的数据量呈指数级增长，存储历史对话和中间计算结果的KV缓存（KV cache）规模也在急剧膨胀。路透社在报道中也指出，随着AI工作负载从训练大型语言模型扩展到生成用户查询的响应，对大容量NAND内存的需求正在增加。NAND闪存广泛用于存储数据，包括照片、视频和应用程序，存在于智能手机等各种设备中。AI推理阶段的存储需求尤其特殊——它需要极高的吞吐量和极低的延迟，因为用户提问后等待回答的时间是以毫秒计算的。传统的存储架构在应对这种突发性高并发读取时往往捉襟见肘，而三星的新技术正是为了解决这个问题而来。三星在官方博客中明确表示，AI基础设施的核心竞争力不仅仅取决于处理器性能，更取决于如何高效地存储海量数据，以及如何快速可靠地将数据交付给AI加速器。整个内存架构都必须重新设想，从内存到处理器的接口、芯片堆叠技术，到存储单元架构本身。市场观察人士预期，随着AI基础设施的扩张，对HBM和NAND的需求将同步上升。TrendForce预测，AI芯片中HBM容量将从现有的96GB和192GB提升到今年的216GB和288GB，而英伟达2027年的"Rubin Ultra"更将配备384GB HBM。这是因为随着AI加速器变得更强，内存容量和数据传输速度也必须相应提升。这种"双轮驱动"的需求格局，让三星这种在DRAM和NAND两个市场都位居全球第一的厂商，拥有了其他竞争对手难以撼动的独特优势。

对于普通消费者来说，这些技术听起来可能有些遥远，但它们很快就会渗透到你日常使用的设备中。比如，当你下一部AI智能手机搭载了zNAND-O或者LPDDR5X-PIM，你会发现手机上的AI助手响应速度更快，本地大模型生成文字或图片的时间大幅缩短。当你购买一台AI PC，内置的固态硬盘如果采用了V10闪存，那么加载大型AI模型文件的时间会从分钟级降到秒级。而对于云服务商来说，zHBM和HBM5的出现意味着他们可以在同样的功耗预算下，部署更强的AI算力集群，最终反映到用户端就是更便宜的API调用价格和更快的响应速度。想象一下，你现在用ChatGPT或者类似的AI助手提问，等待回复的时间可能从现在的几秒钟缩短到一两秒，甚至感觉不到延迟——这就是这些新技术想要实现的终极目标。对于游戏玩家来说，搭载V10闪存的高端固态硬盘也将带来更快的游戏加载速度和更流畅的开放世界体验，因为游戏引擎可以更快速地读取海量纹理和场景数据。三星在主题演讲中展示的zNAND-O运行边缘AI工作负载、结合DRAM级速度与NAND级容量的数据，更是给整个行业提供了一个全新的思路——未来的AI推理可能不再需要那么昂贵的纯DRAM方案，而是用"zNAND-O + 少量DRAM"的混合架构来大幅降低成本。

当然，技术竞赛远未结束。三星已经在开发500层级别V11，SK海力士的375层4D NAND也即将在2027年上半年进入eSSD量产阶段。在HBM领域，三星的zHBM虽然性能恐怖，但目前还是概念模型阶段，何时量产、成本如何，都还是未知数。HBM5的量产时间表三星也未详细公布。不过，从FMS 2026的发布阵容来看，三星在AI存储技术的广度上暂时领先，而SK海力士则在能效和层数上紧追不舍，同时通过HBF开放标准试图定义新的存储层级。这种竞争态势对消费者来说是件好事——两家巨头打得越凶，新技术落地的速度就越快，产品的性价比也会越高。对于投资者来说，存储芯片行业的景气度与AI需求深度绑定，三星和SK海力士的技术路线选择将直接影响未来几年的市场份额和盈利能力。根据《首尔经济日报》的报道，三星目前已经将其V-NAND月产能提升至超过10万片晶圆，其中约60%的产能分配给V9产品用于大规模供应英伟达，而V10的产量占比虽然目前不足5%，但正处于快速爬坡阶段。三星还在平泽工厂P4厂的NAND专用洁净室内推进V10的大规模量产，并预留了超过半数尚未投产的空间，为后续V10扩线及V11导入留下增长弹性。这种"三代同堂"的产能布局——V9稳产保供应、V10爬坡抢高端、V11试产卡未来——让三星在AI存储赛道上有能力同时满足英伟达对"量"和"质"的双重需求。三星电子高管在FMS 2026上透露，公司内存业务的大约60%到70%已经运行在长期客户协议之下，这让三星在AI专用内存需求加速增长时，能够在一定程度上规避短期价格波动的冲击。不过需要客观指出的是，截至2026年8月8日，本次检索材料中并未覆盖消费级固态硬盘的具体零售价格信息，对于关注消费端价格的读者，建议以各大电商平台的实时报价为准，本文不作臆测。

对于关注存储行业的读者来说，有几个关键信号值得留意。第一，400层以上的NAND闪存已经不再是实验室样品，而是进入了量产供货阶段，这意味着未来两年内大容量固态硬盘的供应格局将发生深刻变化。第二，内存内计算技术（PIM）正在从概念走向产品，LPDDR5X-PIM的全球首次亮相预示着这项技术即将进入实用化阶段，将推动端侧AI的普及。第三，HBM的散热问题有了新的解决方案，HPB技术可能会在HBM5中成为标准配置，并在未来扩展到其他HBM产品。第四，三星电子在FMS 2026上展示的V10 BV-NAND距离2013年首款V-NAND发布刚好13年，标志着三星在存储技术领域的持续创新能力。如果你正在考虑组装一台用于AI训练的工作站，不妨等一等搭载V10闪存的固态硬盘上市；如果你是云服务商的采购经理，现在就应该开始跟三星和SK海力士接触，锁定HBM5和zHBM的早期供应协议。对于DIY装机爱好者来说，2027年可能会迎来一波基于V10闪存的高性能消费级SSD上市潮，届时无论是游戏加载速度还是AI模型加载体验都会有质的飞跃。存储技术的迭代速度正在加快，而AI是背后的最大推手。谁能在这场竞赛中率先把新技术转化为规模化量产，谁就能在未来的AI基础设施市场中占据最有利的位置。从FMS 2026的盛况来看，三星已经打出了第一张王牌，而SK海力士的回应也毫不逊色——不仅拿出了375层4D NAND，还联合闪迪发布了HBF开放标准，SK海力士、谷歌DeepMind与闪迪还将在8月6日开展以"用HBF突破内存墙"为主题的圆桌对话。接下来的半年到一年内，我们会看到更多搭载这些新技术的产品陆续登场，从企业级固态硬盘到消费级SSD，从AI服务器到智能手机，存储行业的变革浪潮正在以肉眼可见的速度向我们涌来。对于每一位关注科技前沿的读者来说，现在就是重新审视存储投资和技术选型的最佳时机——因为AI时代的存储革命，已经正式拉开了序幕。那些还在用传统思维看待存储行业的朋友，是时候更新自己的认知框架了，因为从2026年8月这个时间点往后，存储不再只是"能存多少数据"的问题，而是"能以多快速度、多高效率支撑AI计算"的全新命题。三星电子半导体业务相关高管在FMS 2026上放出豪言："三星回来了"——这句话背后的底气，正是来自V10 BV-NAND的58%密度跃升、zHBM的8倍性能突破、以及HBM5的HPB散热革新。当存储巨头们把"喂饱AI加速器"当作头号任务来攻坚的时候，咱们这些普通消费者和从业者，其实都是这场技术大爆发的最终受益者。随着英伟达CMX设备对NAND需求的爆发式增长——单台CMX设备可搭载576块固态硬盘、总存储容量高达9600TB，2027年CMX所需的NAND需求预计将从今年的3500万TB激增至超过1亿TB——三星与英伟达的"NAND联盟"只会越绑越紧，而这场联盟的最终走向，将决定未来三到五年内整个存储行业的供需格局与价格曲线。对于硬件发烧友而言，盯着每GB单价的意义，已经从"等降价"变成了"等新技术产能爬坡"；对于运维工程师而言，为AI集群选型的逻辑，必须从"买够容量"升级为"选对存储层级"；对于芯片架构师而言，zHBM把内存堆叠到加速器正上方的Z轴思路，可能会彻底改写下一代AI芯片的物理布局。这场发生在圣克拉拉会议中心的存储风暴，其影响力远超一场行业展会的范畴——它标志着AI基础设施的竞争，已经从处理器主频的较量，全面转向了存储架构重构的深水区。

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