平芯微A1SHB A2SHB贴片MOS技术白皮书：从丝印识别到批量量产的选型

KKW117

贴片三极管A1SHB与A2SHB：SOT23-3封装丝印PW2301A/PW2302A

型号：PW2301A（丝印A1SHB） / PW2302A（丝印A2SHB） | 封装：SOT-23-3L

▲ SOT-23-3L封装实物示意：左侧丝印 A1SHB = PW2301A（P沟道 MOSFET），右侧丝印 A2SHB = PW2302A（N沟道 MOSFET）

一、概述

在实际维修与代换选型中，很多工程师看到 SOT-23-3 封装的贴片三极管顶面丝印 “A1SHB” 或 “A2SHB” 会误以为是普通 NPN/PNP 三极管，实际上这两颗器件是平芯微（PingWei Semi）推出的沟槽型增强模式功率 MOSFET —— PW2301A 与 PW2302A。两颗芯片同封装、同管脚（1=G，2=S，3=D）、同贴片工艺，一颗是 -20V P沟道，一颗是 +20V N沟道，是锂电保护、负载开关、电源反接保护、DC-DC 二次开关等电路里的绝佳互补对管。本文按平芯微原厂规格书数据，把 A1SHB 与 A2SHB 的关键参数、开关特性、典型应用差异一次讲清，方便贴片车间来料识别与研发选型。

二、A1SHB与A2SHB快速识别对照

三、PW2301A（A1SHB）核心参数

P-Channel Enhancement Mode MOSFET，沟槽工艺，低导通电阻，栅极最低驱动电压可至 -2.5V，适合单节锂电、5V/3.3V 逻辑电平驱动的高端负载开关场景。

四、PW2302A（A2SHB）核心参数

N-Channel Enhancement Mode MOSFET，沟槽工艺，超低导通电阻（VGS=4.5V 时 typ 23mΩ），2.5V 逻辑电平可完全开通，是单节锂电池保护板、TWS 耳机充放电、小家电低压 DC 开关的主流方案。