前英特尔CEO基辛格押注新AI内存：Z2RAM拟绕开EUV光刻，4年内送样

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科技媒体 semiconleadersasia 昨日（10 月 27 日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）正通过风投机构 Playground Global，支持内存初创公司 Nagare Labs 开发下一代存储技术 Z2RAM。

该公司近期完成由 Playground Global 领投的 500 万美元（IT之家注：现汇率约合 3,340.5 万元人民币）种子轮融资，目标是打造兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度的 AI 计算内存，以缓解“内存墙”瓶颈。

Z2RAM 由佐治亚理工学院研究者苏曼 · 达塔与于世萌创立的 Nagare Labs 研发，采用氧化物半导体材料，并计划通过 3D 混合键合直接集成在逻辑芯片上方。

Z2RAM 关键卖点是使用标准后端工艺（BEOL），无需极紫外光刻（EUV）即可通过单次曝光形成多层存储结构，有望提升密度并降低制造复杂度与成本。

与依赖电容×搜同款存电荷的传统 DRAM 不同，Z2RAM 采用基于晶体管的存储单元，可实现非破坏性读取，从而有望降低访问延迟。初创公司还计划像 NAND 闪存那样垂直堆叠存储单元，其初期实现方案的目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。

不过，这项技术仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs 正在寻找研发制造合作伙伴，以突破大学洁净室的产能限制；公司计划在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品，并在未来十年内实现商业化交付。