英飞凌成功制造全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆

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Infineon（英飞凌）当地时间 9 日宣布，其成功率先在全规模半导体晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅 (SiC) 晶圆加工为功率半导体器件。

这一创举基于奥地利 Villach 晶圆厂的现有硅 (Si) 半导体制造设备，显示了大尺寸碳化硅晶圆在商业化上的实际潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切合作规划 12 英寸 SiC 技术及量产时机，同时进一步推进其 200mm SiC 制造路线图。

此外，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂验证了其冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性。这一工艺可提升晶锭到晶圆工艺的效率，同时减少加工损耗。