探究一下三星EMMC内部用啥晶圆

fanallen

扩容小米盒子剩下来一些8G的EMMC颗粒，前两天上读卡器主控测了下
https://www.mydigit.cn/thread-491378-1-1.html

在2.0主控里，性能还不错，就是容量有点小。

今天玩点花活儿，将EMMC开nand定义，看看如何。
         
主要测试这2个型号，因为我只有这个脚位的转接贴。

先搞KLM8G1GEME，就是前两天上读卡器主控的颗粒。

用转接贴直接焊到sm3267上


上机


就1个ce，ID：EC,DE,94,43,A4,CA，这个ID我熟，这是三星14nm 2D MLC，性能很强的一代，不过3267不支持，只能上3268了。


整到SM3268主控板上，焊接过程略，上机量产，过程略，直接测速


单ce，写入49，很不错了。

再测双贴


2个ce，写入76，读取140+，不错了。


接下来测KLM8G1GEND，还上sm3267，这次该支持了吧？


也是1个ce，ID:EC,DE,94,F3,A4,C6，这是16nm 2D MLC。

单贴测速


双贴测速



也不错。

然后我们总结一下：

EMMC型号：KLM8G1GEME
NAND型号：K9GCGD8U0E


EMMC型号：KLM8G1GEND
NAND型号：K9GCGD8U0D



所以，根据EMMC型号的最后一位，基本就可以判断出NAND的制程。


PS：有想看转接贴样子的，请移步：https://www.mydigit.cn/thread-384459-1-1.html

fanallen

士官长1987 发表于 2025-1-14 17:00
厉害，emmc竟然还有转接板

三星的部分UFS和EMMC，有大佬画出来nand定义转接贴了

fanallen

leoooooooooo 发表于 2025-1-14 22:49
原来emmc速度这么块，1ce的就能达到这速度

另外请教，焊接顺序是颗粒先上转接板，再上主控板？需不需要两 ...

快的原因，终究还是采用的nand制程快。

焊接顺序是先给转接贴底面植锡，焊到主控板上，再将EMMC植锡，焊到转接贴上，我都用183的中温有铅锡膏。

fanallen

593323292 发表于 2025-1-14 23:19
转接贴露个脸呀

https://www.mydigit.cn/thread-384459-1-1.html

这里有

fanallen

baibo 发表于 2025-1-15 20:59
开过nand协议的emmc是不是就不能再用做emmc了？

是的