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通态电阻Ron是MOS管除耐压、电流外的一个重要参数,小Ron的MOS管通常做开关用,其耗散功率主要就是Ron导致的了
Ron不是个恒量,随Vgs、Id、温度都有变化
工作中用到的Ron测试仪是采用大电流脉冲测试,在保证接近MOS管测试条件情况下,尽量减小结温的影响
但那台Ron测试仪显示分辨率为1mΩ,而且还不能测试PMOS管
前两天需要找一个MOS管通态电阻的快捷测试方法,就想到了测电阻的毫欧表
测试夹开路电压是5V,低了点,但还是可以用的
测试电流为1A,测小Ron的MOS管还可以,最多几十mW,也不用担心芯片发热了
拟定如下的简易测试方法
其他不需要,就只用这台毫欧表来测试
下面验证一下
先测个大电流的NMOS管:40V、195A、1.6mΩ,Ron曲线如下图
红夹子接G、黑夹子接S,先给栅极充电
然后黑夹子不懂,红夹子接散热片的漏极
在5V栅极电压下,Ron要比5.5V大些,正常
再找个Vgs低点的NMOS看下
40V、33A、8mΩ小管子的Ron曲线:
依然先给栅极充电,9mΩ比较符合手册上的Ron曲线了
再试下电压高点的NMOS,150V、45A、40mΩ
这颗Vgs参数高点,所以5V下测得的Ron偏高
PMOS也得验证一下
-100V、-26A、59mΩ的PMOS管,Ron参数如下:
红夹子接S、黑夹子接G,给栅极反向充电
然后黑夹子夹散热片的漏极D,红夹子仍接源极S
Ron稍有些偏大,应该也是Vgs偏低的原因
昨天有坛友发帖问MOS管的D、S能不能反向用,这里正好偶也拍了照片可以说明
这是上面那颗PMOS管,红夹子接D、黑夹子接S(和正常接法相反)的Ron,几乎和正接是一毛一样的
所以排除体二极管的影响,MOS管D、S可以看着是等同的,反接一样的工作
这是以前反接PMOS的一个充电电路,可供参考:http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2537577
上面的测试方法很简单,测试值用来粗略判断完全够了,但是有两个缺点:
1. 毫欧表的开路电压偏低,导致测量的Ron偏大一点
2. 手不能碰栅极,不然充的电很快就放光了
因此又设计了下面这个进阶方案:
用9V电池电压也接近10V了,就算栅极电压比10V高,Ron也没太大影响了,所以够用了,而且几乎没耗电(至少应该比自放电还低),一节电池可以用很久。开关用来切换选择NMOS或PMOS
唯一麻烦的是插MOS管的测试座,最好也是开尔文结构,可以排除接触电阻误差,但偶还没想好怎么来做这个小插座,有点子的朋友可以指点一下
这方法适用Ron在100mΩ以下的MOS管是没问题的,太大的花发热会有一定影响
欢迎大家围观、指点,谢谢先!
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