本帖最后由 huaweiwx 于 2020-4-16 01:01 编辑
关于 whetstone 有篇文章专门介绍:
https://wenku.baidu.com/view/a858c14ce518964bcf847cb9.html
Dhrystone 百度下,也能看到相关的介绍:
https://wenku.baidu.com/view/6c4 ... ?sxts=1586960628216
按ST官方介绍 STM32F1 可以达到 1.25 DMIPS:
而根据我上述测试结果:F103 72M 只有 : 43.05 / 72 = 0.56 MIPS/Mhz (官宣 :1.25 0 wait )
F429 180M 系列 126.27 / 180 = 0.70 MIPS/Mhz (官宣 :210/168 = 1.25)
F7/H7 是真的强大, H743 400M 611.26 / 400 = 1.53 MIPS/Mhz (官宣 :1327/480 =2.76)
结果和官宣有差异可能是:1 编译器不同,2 优化等级差异,3 对 F4以上芯片,堆栈和变量我均没有使用内部更快的CCRAM;4 官宣说是运行在 0 等待内存的结果,但我初始化flash是按手册建议的等待周期设置的,没做降低主频使flash 0或高主频强制flash 0 等待这样的条件进行测试,有点好奇下次抽空看看是否可以提高些;
上述除主频的结果就可以理解成单位时钟执行的综合指令数,这个指令是根据常用应用各指令使用的频度设计出的Dhrystone测试;大致反映了我们常规的应用下芯片的执行性能;
说句题外话, M7内核 的H7/F7 各项指标均全面超越了arm9 的NUVOTON NUC970;
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