小白问一个MOS问题，P沟道MOS怎么实现？

jeromeli · 发表于 2022-1-2 22:02:28

小白问一个MOS问题
P沟道MOS怎么实现？？
MCU休眠后MOS断开状态，唤醒后后可以通过MCU控制，
还是要换N沟道MOS？？

蕴殇 · 发表于 2022-1-2 22:29:47

Pmos上拉就断开的,直接加上拉电阻啊

jeromeli · 发表于 2022-1-2 22:51:07

本帖最后由 jeromeli 于 2022-1-2 22:53 编辑

蕴殇发表于 2022-1-2 22:29
Pmos上拉就断开的,直接加上拉电阻啊

怎么加？加多大？MCU 是3.3V VCC是锂电池电压
这样加吗？应该加多大

蕴殇 · 发表于 2022-1-2 23:25:26

jeromeli 发表于 2022-1-2 22:51
怎么加？加多大？MCU 是3.3V VCC是锂电池电压
这样加吗？应该加多大

就这样加,电阻VCC电压1V取约1K就好,例如12V就用10到15K的

jeromeli · 发表于 2022-1-3 11:44:26

蕴殇发表于 2022-1-2 23:25
就这样加,电阻VCC电压1V取约1K就好,例如12V就用10到15K的

非常感谢

空了有时间飞线试试

温力口 · 发表于 2022-1-3 14:32:42

蕴殇发表于 2022-1-2 23:25
就这样加,电阻VCC电压1V取约1K就好,例如12V就用10到15K的

5K或者10K就好，1K电阻功耗有点大了。

ppyuyi · 发表于 2022-1-3 15:37:38

针对控制电压3.3V，被控制电压4.2V的情况，简单点可以用图1，可靠点还是用图2。
图1不加二极管的话，看所选PMOS管的特性，锂电池电压较高时输出会不能完全关断！（实际工作中遇到过）

蕴殇 · 发表于 2022-1-3 20:14:45

温力口发表于 2022-1-3 14:32
5K或者10K就好，1K电阻功耗有点大了。

都问题不大,电阻越大结电容导致的关断延迟就越长

1588858 · 发表于 2022-1-20 15:59:55

1k就行了非常好

kkstun · 发表于 2022-1-23 14:00:29

我记得MCU休眠时候io口状态不变，51是这样的。

账号		自动登录	找回密码
密码			立即注册