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首先来看,公版的原理图的供电方案原理图:
1、 PWM_2 for Flash Die Power 3.3V
2、 PWM_3 for Flash I/O 1.8V
3、 PWM_4 for DRAM-DDR3 1.5V
4、 PWM_1 for VCCK/A1V2 1.2V
5、 LDO_2: Analog Power 3.3V
6、 LDO_3: VCCIO Power 1.8V
供电说明:
1 2 3 大家都见的比较多,也就是我们说的 VCC VCCQ DRAM供电电压,
4 5 6 通俗的讲就是主控供电,其中VCCK/A1V2供电能力比较好,通常都是电源芯片带电感输出。
然后我用实际案例来讲每一项供电
案例:https://www.mydigit.cn/thread-360309-1-1.html
问题: 通电不认,VCC 、VCCQ、DRAM、LDO_2、LDO_3 均为0V输出,VCCK 0.9V ,过压保护芯片OVP Circuit 输出正常
接下来我们结合原理图,看看每一路的电压是怎么输出的
1、 VCC电压(PWM_2 for Flash Die Power 3.3V ) ,给颗粒供电,VCC
关注三点 输入 PVIN 输出SW 开启信号 EN
根据原理图:vcc3.3的开启en脚有两种开启方式:
1. 当R69(150K)焊接 R76(51K)不焊接,主板通电就会开启VCC 3.3V电压。(直接开启)
2. 当R69(150K)不焊接 R76(51K)焊接,不会直接开启电压。(P26连接主控,也就是需要主控工作才开启3.3v)
根据板子得知:R76焊接,R69不焊接,这块板子需要主控给开启信号,测量主控没给开启信号,所以为0V,排除SY8047芯片损坏可能。
2、PWM_3 for Flash I/O 1.8V,给颗粒供电VCCQ
根据原理图:VCCQ1.8V开启条件需要同时满足两个条件:
1、 通过R86(150K),连接VCC5I (过压保护芯片输出)
2、 通过R87(0R)连接VCCF,VCCF为PWM_2 for Flash Die Power 3.3V的输出。
结论:由于PWM_2 for Flash Die Power 3.3V没有开启信号,所以输出为0V,不满足开启条件,所以VCCQ 1.8V输出为0V。
3、PWM_4 for DRAM-DDR3 1.5V
根据原理图:DRAM-DDR3 1.5V开启条件:
1、VCC5I 供电4.9V
2、通过R37(150K)连接P26。(P26连接主控,也就是需要主控工作才开启1.5v输出)
结论:由于SM2246EN P26没有输出开启信号,所以DRAM输出为0V。
4、PWM_1 for VCCK/A1V2 1.2V
根据原理图:VCCK/A1V2 1.2V开启条件:
1、VCC5I 供电4.9V
2、通过R73、R74连接P26 P27,然后控制MOS管Q2,P26 P27没有信号默认输出0.9V(P26、P27连接主控,也就是需要主控工作才开启1.2v输出)
结论:由于SM2246EN P26 P27 没有输出开启信号,所以VCCK/A1V2输出为0.9V。
5、 LDO_2: Analog Power 3.3V
根据原理图:这里是一个LDO的稳压芯片,规格LM88331BA-S_SOT23或者LM88331BA-S_SOT23-5,把4.9转为3.3V
6、LDO_3: VCCIO Power 1.8V
根据原理图:这里同样是一个LDO的稳压芯片,规格ELM88181BA-S_SOT23或者NC_ELM88183BA_SOT23-5,把3.3V转为1.8V
结论:这里的输入端为U8或者U18的输出,和U8一样是一个LDO的稳压电源,只是电压规格不同。
板子检测结果:
U8的3.3V输出为0V,导致了主控未正常工作,更换LM88331BA-S_SOT23后恢复正常。
最后:文中描述不对的,欢迎各位大佬斧正,关于主控和Flash的分析和讲解,后续会补上。
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