Multisim 14仿真集电极调制

Google Earth

集电极输入调制电路介绍

该电路被称为集电极注入调制器，因为调制信号被注入晶体管电路的集电极侧。

电路中使用的晶体管配置是共发射极设计。晶体管电路通过器件的基极-发射极侧接收输入，

并在集电极-发射极侧输出信号，发射极端子为输入和输出电路所共用。晶体管Q1恰好是PNP晶体管。

            调幅调制器

RF 载波施加到输入变压器 [T1] 的初级 [L1] 侧。载波的频率与电路的操作无关，但将被选为传输信号的中心频率。

变压器的次级将输入的射频耦合到晶体管的基极。电阻器 R1 和 R2 形成直流分压器以偏置基极端子。

电阻R3也是一个直流偏置电阻，用于发射极电路。R1 和 R3 均被 RF 电容器 C1 和 C2 旁路。

无论施加的调制信号如何，晶体管都充当放大器。

集电极[和基极电路]的电源电压由Vcc 产生。音频调制信号[AF MOD]通过变压器T3施加到集电极电路。

变压器耦合电路中的 AF 信号，并将一个电路与另一个电路隔离。

当音频信号施加到变压器电路时，所产生的变压器次级电压会增加或减少集电极电压。

因此音频信号被添加到载波信号中。

输出变压器 T2 还与 C4 结合用作可调储能电路。在这种情况下，通过变压器施加电源电压，构成串联馈电储能电路。

可变电容器C4用于调整调谐电路以与RF载波频率谐振。

R5是调幅波形包络关键元件，这个电阻开路后面的功放就没有RF输出，
阻值大小影响调幅波包络的失真大小（上下边带不称），阻值越大调幅波包络下边带越负。
与我实际试验的不一样，实际试验这个电阻值不会对调幅包络波形产生影响。
开路与仿真一致。

R5=820Ω时的调幅包络波形见示波器下部（A通道）。
示波器上部（B通道）曲线是5kHz的调制音频信号





R5=50Ω调幅包络波形才正常




调制信号对载波调制情况演示，
调制信号断开后可以看到只有幅度非常小的1MHz载波输出。
载波有调制与无调制功率相差是非常大的，
有调制电流达到20mA，无调制电流降低到6.5mA。
集电极调制调制深度要达到100%，调制功率需要达到RF输出功率的50%才能实现，
早期一个100kW的发射台，调制器的音频功率需要50kW，这么大功率的音频功放制造难度不小




大功率AM调制知识：https://www.eeeguide.com/generation-of-amplitude-modulation/



PDF是英文下载前看好

石墨

高频电路有专用软件

kkdkj

Multisim 14仿真不错，元件比较齐全，就是有点复杂，元件库找起来不方便。