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发表于 2024-4-4 16:24:15
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补充
这部分也比较长,不感性兴的可以跳过
5.1 计算给定变压器最高输出电压
专业开关电源设计,其流程是根据给定的输入输出电压电流,设计变压器。这里相反,变压器是指定的,购买之前需要计算能否满足给定的输入输出电压电流。反激电源有CCM、DCM两种工作模式,不同模式输出电压与输入电压对应关系不同,需分别计算。
CCM、DCM临界也须计算出来,以判断工作模式。
CCM、DCM临界方程为2*Lm*fs/R = N^2*(1-D)^2。
CCM稳态电压增益为M = Vo/Vi = D/(N(1-D))。
DCM稳态电压增益为M = Vo/Vi = D/sqrt(2*Lm*fs/R)。
式中Lm为变压器初级线圈电感,fs为开关频率,R为负载电阻,N为变压器初级与次级匝数比,D为占空比。解方程1可求出负载R的临界值,负载电阻大于此值为DCM模式,小于此值为CCM模式。
本应用中给定参数为,最低输入电压3V,输出最高200V/1mA。200V/1mA对应负载电阻200KΩ。为留出富裕量,取200V/2mA=100kΩ。根据电路图,反馈电阻为R8+R9+R12=1.3MΩ+1.2MΩ+16KΩ=2.516MΩ,即空载时负载电阻为2.516MΩ。MAX668最大占空比的最小值为0.85。TTRN-0630H变压器N=1/15,Lm=20uH,fs=250KHz。根据上述信息,写出MATLAB代码,分别计算出CCM/DCM临界负载电阻R,CCM模式100K负载电阻对应占空比D,也计算出DCM模式负载电阻在一定范围内对应的占空比D。如果占空比小于0.85并有一定富裕量,则认为该变压器可以满足需求。
% 画flyback电路占空比D与负载电阻R关系曲线
clc; clear;
M = 200/3; % Vin=3V,Vout=200V
fs = 250e3; % 开关频率250KHz
Lm = 20e-6; % 变压器初级电感20uH
R = 3000 : -10 : 100;
R1 = R*1e3;
% DCM模式,依据:M = D/sqrt(2*Lm*fs/R) M为flyback增益(Vout/Vin)
% Lm为变压器初级电感,fs为开关频率
D = M*sqrt(2*Lm*fs./R1);
plot(R, D);
xlabel('负载电阻(kΩ)');
ylabel('占空比');
% 计算100KΩ负载电阻对应的占空比
D1 = M*sqrt(2*Lm*fs/100e3);
fprintf('100KΩ负载电阻对应的占空比D=%f\n', D1);
% 计算flyback CCM/DCM边界
% K = 2*Lm*fs/R = N^2*(1-D)^2;
N = 1/15;
Dmax = 0.85;
R2 = 2*Lm*fs/(N^2*(1-Dmax)^2);
fprintf('CCM/DCM边界 R = %f\n', R2);
运行以上代码,得到结果
可见,CCM/DCM临界负载电阻为100KΩ,本应用中工作模式为DCM,且占空比有足够富裕量,TTRN-0630H这款变压器满足需求。
5.2 高压发生电路保护元件产生的零极点计算
根据电路图可知,R20、C10连接点为反馈信号。R20、C10串联后与R12并联,再与R8、R9串联。传递函数β为C10对地电压与R8上端对地电压之比。为了求出C10对地电压,可设R8上端对地电压为1,根据电路结构可求出FB点对地点压,再根据FB点对地点压即可求出C10对地电压。因为假设R8上端对地电压为1,所以此电压就是β。为了避免枯燥繁琐的分式多项式整理,用Maxima辅助整理,写出脚本:
/* 耐压测试仪V2反激电路反馈网络零极点计算 */
Xc10 : 1/(s*C10); /* C10复阻抗 */
Xs1 : R20+Xc10; /* R20与C10串联复阻抗 */
Xp1 : R12*Xs1/(R12+Xs1); /* R20与C10串联,再与R12并联的复阻抗 */
Xs2 : R8+R9+Xp1; /* R20与C10串联,再与R12并联,整体再与R8、R9串联的复阻抗 */
Vfb : Xp1/Xs2; /* FB点对地电压 */
beta : Vfb*Xc10/Xs1; /* C10对地电压,即β(因为设定R8上端对地电压为1)*/
beta1 : ratsimp(beta); /* 对β整理化简 */
n : num(beta1); /* β分子 */
d : denom(beta1); /* β分母 */
solve(n, s); /* 求零点 */
solve(d, s); /* 求极点 */
运行脚本得出β传函数:
该传函没有零极,有一个极点:
手工整理得:(R8+R9+R12)/{C10*[(R12+R20)*(R8+R9) + R12*R20]}
用MATLAB代入元件参数
clc;clear;
R8=1.3e6;
R9=1.2e6;
R12=16e3;
R20=100e3;
C10=100e-9;
(R9+R8+R12)/((C10*R20+C10*R12)*R9+(C10*R20+C10*R12)*R8+C10*R12*R20)
得出极点频率为86.2826,这是角频率,除以2π才是Hz,有点恐怖,我是不是算错了!?
6.3 高压发生器MOS管漏源峰值电压计算
反激电路主MOS管断开时,其漏源承受的峰值电压Vds由3部分组成,Vinmax、Vor、Vspike。
Vinmax为最高输入电压,本应用中为4.2V。Vor为变压器次级反射到初级的电压,其值为Vor=(Vo+Vd)*N。Vo为输出电压220V,Vd为整流二极管压降,N为变压器初级与次级匝数比。计算得Vor=13.3V。Vspike为变压器初级漏感Lleak与MOS漏源寄生电容Coss谐振产生的尖峰电压。Vspike=sqrt(Lleak/Coss)。TTRN-0630H初级漏感Lleak为700nH,AO3400漏源寄生电压Coss为100pF。代入参数得Vspike=84V。MOS管承受的峰值电压Vds=4.2+13.3+84=101.5V,远超AO3400漏源极限电压30V,必须加尖峰吸收电路。网上开源的辉光管升压电路几乎都没有尖峰吸收电路,本人认为应该加上。
5.4 反激变压器发热问题
前边说过,TTRN-0630H这颗变压器,频率1.2MHz时特别烫手、500KHz时微温、250KHz时几乎不热。开始本人以为是其磁芯不适合高频,将其初级当电感接入XS1308 Boost电路,次级悬空,结果变压器几乎不热。然后做了一些对比。
当变压器用时迅速烫手,频率1.2MHz,输入3.5V。输出200V*1mA=0.2W,忽略效率输入电流为57mA。
当电感用时不热,频率同样1.2MHz,输入3.5V。输出7V*220mA=1.54W,忽略效率输入电流为440mA。
变压器发热说明损耗高,损耗分为铁损和铜损。铁损为磁芯损耗,铜损为线圈直流电阻损耗和趋肤效应损耗。
磁芯损耗与频率f,磁通摆幅△B,磁芯体积有关。同一个变压器,磁芯体积是一定的,同样是频率1.2MHz,当变压器用发热,当电感用不热,只能是磁通摆幅△B不同。
而△B=L*△I/(N*Ae)。式中L为电感,△I为电流摆幅,N为线圈匝数,Ae为磁芯面积。稳定状态时,变压器磁通增量和减量应该相等。初级线圈导通时磁通增加,次级线圈导通时磁通减小。因此用初级线圈参数即可算出磁通摆幅△B。不管是做变压器用还是做电感,磁芯面积Ae、线圈匝数N,电感L都是一样的。这样磁通摆幅△B只与电流摆幅△I有关。当变压器时输入电流为57mA,当电感时为440mA。这两个值虽不能等价于电流摆幅,可也应该与电流摆幅密切相关。那问题就来了,当电感用时电流摆幅大却不发热,当变压器用时电流摆幅小却发热。难道发热主要是由次级线圈的趋肤效应引起的?可主观感觉1mA电流,趋肤效应也不至于让变压器烫手吧,这得多大的损耗啊!再有,如果真是趋肤效应导致,那次级线圈只会比磁芯更热。磁芯都烫手了,线圈是不是快烧了!本人大脑里的CPU也快干烧了,熟悉反激变压器的朋友说说。
5.5 常见问题
Q1. 耐压试仪原理
Q2. 测耐压会不会损坏DUT本人不是相关领域专家,只能给出通俗但不严谨回答。
A1. 可以把DUT(比如电容)当成PN结或稳压二极管,当其两端电压小于耐压值时绝缘电阻很大。当电压接近耐压值时绝缘电阻迅速变小,漏电电流迅速增大。此时为软击穿状态,如果不限制电流,DUT便硬击穿而烧坏。所以一个高内阻高压直流电源,配合电压表头,便是简单的耐压测试仪。漏电电流的取值将影响耐压值的测量结果。至于漏电电流多大合适,不同的元件应该有不同的要求。本应用取1mA多一点是为了照顾爱好者常用元件,不一定适合专业测量。
A2. 钽电容过压会起火燃烧。LED反向过压会不会损坏与具体元件有关。比如,m3直插LED:红色、黄色反向过压没问题,绿色、蓝色反向过压必烧。
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