只有4个元器件,原电路图是IRF250N,我只有IRF9540N,而且有好多个,就替换了。
1.能否将电路图中的47k和220r电阻更换,让调速更好?因为按照原图的,不太好调,要么速度很快,要么快停了。
2.这个电路图,能承受多少的电压和电流,以及功率?会不会很容易就烧坏了?
谢谢大佬们!
IRF9540N核心参数:
Vds-漏源极击穿电压: -100 V
Id-连续漏极电流: 23A
Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: -20 V, +20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 97 nC
最小工作温度: -55°C
最大工作温度: +175°C
Pd-功率耗散: 140 W
封装: TO-220AB
上升时间: 67.0 ns
IRF250是N极性MOS管,IRF250主要特征:-重复Avalanche评级 -动态dv / dt评级 -密封保护 -简单驱动要求 -防静电等级:3A/ MIL-STD-750, 1020方法 IRF250基本描述:HEXFET®MOSFET技术是先进的关键技术功率MOSFET晶体管线。有效几何和独特的处理这最新的“艺术状态”设计实现:非常低的通态电阻结合高反式电导;优越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具有所有成熟的特性MOSFETs的优点如电压控制,非常快开关和温度的电气参数的稳定性。它们非常适合用于开关电源,采购产品供应,电机控制,逆变器,斩波,音频放大器以及高能脉冲电路等应用。
IRF250核心参数:Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:30 A Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms Vgs-栅极-源极电压:-20V, +20V 最小工作温度:-55°C 最大工作温度:+150°C Pd-功率耗散:150 W 封装:TO-204AE 晶体管极性: N 高度:7.74 mm 长度:39.37 mm 宽度:25.53 mm 下降时间:130 ns 上升时间:190 ns 典型关闭延迟时间:170 ns 典型接通延迟时间:35 ns
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