罗姆：碳化硅 MOSFET 裸芯片获丰田 bZ5 电动汽车牵引逆变器应用

数码芝华士

日本半导体制造商罗姆 ROHM 在 6 月 24 日的新闻稿中指出，采用罗姆第 4 代 SiC MOSFET 裸芯片的功率模块已应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车 bZ5 的牵引逆变器中。

bZ5 的牵引逆变器搭载了由罗姆与中方合作伙伴正海集团的合资企业上海海姆希科半导体有限公司量产供货的功率模块，其中以 SiC MOSFET 为核心的罗姆功率解决方案为这款汽车的续航里程和性能提供了重要保障。

bZ5 这款 SUV 低配版本续航能力可达 550km，高配版本则实现了 630km 的续航表现。该车型采用前驱设计，电机最大功率 200kW，目前已在陆续交付。

罗姆目前正加速推进 SiC 功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代（即第 5 代）SiC MOSFET 的生产线建设，并提前布局第 6 代和第 7 代产品的市场投放规划。