请教一下这个XB3303A单节锂电池保护芯片应用的这两个电路有何区别？

kindzhon · 发表于 2024-9-2 17:50:58

如图，设计时抄了一个人的，忘了抄的谁的了，用了很久了，结果一看数据手册，那个R1电阻的位置居然错的离谱，

所以想问问大神们，这个错误对电路有啥影响？
在锂聚合物电池上好像没啥感觉，换成18650锂离子，感觉就是用TP4054充不满电。

hshike · 发表于 2024-9-2 18:20:19

本帖最后由 hshike 于 2024-9-2 18:22 编辑

哪里错了？R1一端连接电池正极，另外一头输入芯片，是芯片的工作电压而已，保护是控制一脚VM的通断

yiguangqiang · 发表于 2024-9-2 18:24:48

BAT+和CHANGE+是短接的，而不是通过1k到芯片的VDD这里。

xjmar · 发表于 2024-9-2 18:36:02

对比的看了一下，只是R1阻值不一样，没错啊。

lookball · 发表于 2024-9-2 21:49:59

没错啊，3脚和1脚不连接在一起就行了

kindzhon · 发表于 2024-9-3 09:17:26

是啊，仔细看了一下没错了。谢谢各位大神。
那1K电阻和100欧的电阻应该也没区别吧？打了厂商的电话，都没人听的。

qqqun · 发表于 2024-9-3 09:40:12

不要用1K，就用100欧

st911 · 发表于 2024-9-3 16:03:34

1K和100会不会影响内部开关管的导通电阻，还是100欧放心点

mhtlov · 发表于 2024-9-3 19:14:15

必须加保护片

603599910 · 发表于 2024-9-3 19:30:42

用1K电阻在C1漏电不算芯片典型电流为2.8ua的情况工作压降是2.8mv,就是说原本4.250V过压保护变成4.2528V,原本2.500V的欠压保护变成2.5028V.所以实际毛事木有,这个电压误差绝对比芯片本身误差小的多.用1K电阻也不会造成保护IC工作异常,但前提是叠层电容C1不要明显漏电,IC实际工作电流不要数量级增加.

weln2016 · 发表于 2024-9-3 19:56:34

第一张图没错 BAT+ BAT- 分别接电池正负极 BAT+ GND 接电源正负极这颗芯片相当于一个受控制的NMOS 放在电池下面即BAT-与GND之间来保护电池的

kindzhon · 发表于 2024-9-4 10:31:55

603599910 发表于 2024-9-3 19:30
用1K电阻在C1漏电不算芯片典型电流为2.8ua的情况工作压降是2.8mv,就是说原本4.250V过压保护变成4.2528V,原 ...

高手，谢谢专业解读。

kindzhon · 发表于 2024-9-4 11:12:57

本帖最后由 kindzhon 于 2024-9-4 11:15 编辑

大家都说这个电路没问题，为啥18650单节锂离子为啥充不满电呢？就这么个完整简单电路啊。

603599910 · 发表于 2024-9-4 12:05:54

kindzhon 发表于 2024-9-4 11:12
大家都说这个电路没问题，为啥18650单节锂离子为啥充不满电呢？就这么个完整简单电路啊。

...

充不满电可以检查U1输出电压和U2的VM状态,这样就确定是充电IC的误差还是保护IC的误差.具体说充不满是电压多少?超过4.15V就不要纠结,满4.2V不会多很多电量并且电池会有更多损耗.

kindzhon · 发表于 2024-9-5 17:54:16

603599910 发表于 2024-9-4 12:05
充不满电可以检查U1输出电压和U2的VM状态,这样就确定是充电IC的误差还是保护IC的误差.具体说充不满是电压 ...

大神，差那么一点我就不纠结了，是差很多，锂聚合物电池却是正常的。

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