美光的 HBM4E 预示着人工智能 GPU 及其他领域定制内存的新时代

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本周，美光公布了其HBM4和HBM4E计划的最新进展。下一代HBM4内存具备2048位接口，预计于2026年实现量产，紧随其后的HBM4E将在后续几年内推出。相较于HBM4，HBM4E不仅提供更高的数据传输速率，还将引入定制基础芯片的选项，标志着行业的一次重大变革。

HBM4的2048位内存接口无疑令人瞩目。然而，HBM4E将更为突出，美光能够为特定客户提供定制的基础芯片，从而提供更具针对性的优化解决方案。这些定制逻辑芯片将采用台积电的先进制程技术制造，能够集成更多的缓存和逻辑单元，以提升整体性能与功能。这一创新不仅满足了高性能计算和人工智能领域的需求，还预示着未来内存技术发展的新方向。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 将为内存业务带来革命性的变革，它不仅集成了高性能存储功能，还提供了使用台积电先进逻辑代工制造工艺为客户定制基础逻辑芯片的可能性。这种定制化选择有望显著提升美光的财务表现。”目前，我们尚无法确切了解美光将如何实现这一定制化目标，但可以推测，这可能涉及多种技术，如增强型缓存、针对特定应用（如 AI、高性能计算、网络等）的接口优化、灵活的内存传输机制、可变接口宽度、高级电压调节与电源管理，甚至包括定制的 ECC 和安全性算法。然而，这些仅是基于现有技术趋势的推测，实际标准是否支持如此复杂的定制化方案仍有待验证。

美光表示，HBM4E 产品的开发工作正在与多家客户紧密合作下顺利推进，这意味着不同客户将能够选择符合其特定需求的配置基片。这一进展标志着美光正朝着定制化内存解决方案迈进，这些解决方案特别适用于高带宽的 AI、高性能计算（HPC）、网络及其他前沿应用领域。与之相对，Marvell 最近推出的定制 HBM (cHBM4) 解决方案也引发了业界关注，未来这两种定制化方案之间的对比结果值得期待。

美光的 HBM4 产品将采用其成熟的 1β（第五代 10nm 级工艺技术）DRAM，结合 2048 位宽接口及约 6.4 GT/s 的数据传输速率，有望实现每个堆栈高达 1.64 TB/s 的峰值理论带宽。预计美光将在 2026 年大规模生产 HBM4，届时将与英伟达的 Vera Rubin 和 AMD 的 Instinct MI400 系列 GPU 同期推出，这两款 GPU 主要应用于 AI 和 HPC 领域。值得一提的是，有消息称三星和 SK Hynix 计划在其 HBM4 产品中使用更新的第六代 10nm 级制造技术，这也为市场增添了新的变数。

美光本周宣布，其专为Nvidia Blackwell处理器设计的8-Hi HBM3E设备已全面投入生产。此外，美光的12-Hi HBM3E堆栈目前正接受主要客户的测试，这些客户对其测试结果表示满意。据美光公司CEO Mehrotra介绍：“我们继续收到来自主要客户的积极反馈，他们的测试表明，美光的HBM3E 12-Hi堆栈具有行业领先的功耗，比竞争对手的8-Hi堆栈低20%，同时具备更高的内存容量（高出50%）和卓越的性能。”

预计12-Hi HBM3E堆栈将广泛应用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU，特别适用于AI和高性能计算（HPC）工作负载。这些先进的技术进步不仅推动了高性能计算领域的发展，还为未来的技术创新奠定了坚实的基础。