美光HBM4：预计2026年性能提升超50%，与SK海力士竞争加剧

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美光近日公布了其下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，宣布计划于2026年开始大规模量产。美光将借助台积电的代工服务生产HBM4逻辑半导体，以期与SK海力士在高性能存储领域并驾齐驱。

HBM4被誉为未来HBM市场的“圣杯”，因其具备卓越的性能和能效表现，成为推动AI计算能力的关键技术。美光正与SK海力士、三星等巨头竞争HBM4市场主导权。据美光在最近的投资者会议上透露，HBM4开发进展顺利，同时HBM4E的相关工作也已启动。

凭借强大的基础和对成熟的1β工艺技术的持续投资，预计美光的HBM4将在未来几年内继续保持其上市时间和能效领先地位。与HBM3E相比，HBM4的性能预计将提升超过50%，这将进一步巩固美光在高性能存储领域的地位。预计HBM4将在2026年为行业带来大量的产量，并推动整个市场的增长。

此外，HBM4E的研发工作正稳步推进，预计将在未来为多个客户提供支持。HBM4E计划引入一种新选项，利用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为特定客户定制逻辑基片。这一创新不仅将显著增强内存业务的能力，还将有望大幅提升美光的财务表现。

对于那些尚未了解的人而言，HBM4 在诸多方面堪称一场革命。尤其值得一提的是，业界正筹划将内存与逻辑半导体整合于单一封装之中，这一举措将彻底颠覆现有封装技术的格局。由于单个芯片将更接近这一高度集成的目标，因此有望展现出更为卓越的性能效率。这便是为何美光选择与台积电合作，利用其先进的逻辑半导体制造能力，这与 SK 海力士所采取的战略不谋而合。此举不仅预示着半导体行业即将迈入一个全新的技术纪元，也凸显了先进封装技术在提升整体系统性能中的关键作用。

美光不仅提到了HBM4E工艺的存在，还成为除SK海力士之外唯一一家率先披露该技术发展情况的公司，显示出其在高性能内存领域的领先地位。尽管我们目前尚不清楚美光HBM4系列的具体规格，但该公司透露，HBM4预计将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片容量为32GB，并配备2048位宽接口，这使得其性能远超上一代产品。

在应用方面，HBM4预计将在AMD的Instinct MI400系列和NVIDIA的Rubin AI架构中得到广泛应用，从而推动该技术在市场上的广泛认可。当前，HBM需求正处于高峰，美光透露了到2025年的生产线预订情况，预示着未来市场的广阔前景。