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STW4N150简述
品牌:STMicroelectronics
批号:新批次
描述:MOSFET MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
STW4N150批发价格_参数_原装正品_STMicroelectronics
STW4N150参数
参数 参数值
制造商 STMicroelectronics
产品种类 MOSFET
RoHS 是
技术 Si
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247-3
通道数量 1 Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 1.5 kV
Id-连续漏极电流 4 A
Rds On-漏源导通电阻 7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
Qg-栅极电荷 30 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
Pd-功率耗散 160 W
配置 Single
通道模式 Enhancement
商标名 PowerMESH
封装 Tube
高度 20.15 mm
长度 15.75 mm
系列 STW4N150
晶体管类型 1 N-Channel
宽度 5.15 mm
商标 STMicroelectronics
下降时间 45 ns
产品类型 MOSFET
上升时间 30 ns
工厂包装数量 600
子类别 MOSFETs
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 35 ns
单位重量 38 g
STW4N150其他说明
STW4N150价格有优势,STW4N150国内现货当天可发货。
联系微信:18028728293(发型号咨询) Q:16845050
STW4N150优势
STW4N150 超高压MOSFET - 突破千伏极限,为工业级高功率应用保驾护航!
STMicroelectronics(意法半导体)推出的 STW4N150 是一款工业级N沟道超高压MOSFET,采用坚固的 TO-247-3封装,具备惊人的 1500V漏源耐压 和 4A连续漏极电流 能力,专为严苛的高压应用而设计。该器件采用意法半导体先进的 MDmesh?技术,通过优化的单元结构实现 超低导通电阻(RDS(on)典型2.5Ω) 和 优异的开关性能,可显著降低高压环境下的功率损耗,是太阳能逆变器、工业电源、X光机高压电路等专业领域的理想选择。其TO-247封装提供卓越的散热能力,搭配低热阻特性,确保器件在高压大电流条件下稳定运行。STMicroelectronics以汽车级可靠性标准(AEC-Q101认证)保证产品在极端温度环境下的稳定性, STW4N150 凭借其突破性的耐压能力和工业级可靠性,为工程师提供应对超高压挑战的终极功率解决方案,助力您的设计突破技术极限!
(注:内容仅供参考,具体参数请以规格书为准)
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