英特尔官宣18A-PT芯片工艺！14A制程开启客户接洽，3D堆叠技术对战台积电

Meise

2025年4月30日，英特尔新任掌门人陈立武在美国加州圣何塞举办的晶圆代工战略会上，揭开了公司的最新制程布局。这场发布会不仅展示了英特尔追赶台积电的野心，更祭出三大杀手锏技术。

工艺突破：14纳米到1.4纳米的疾进之路 目前16纳米工艺已进入量产阶段，与联电联合开发的12纳米项目正在推进。重头戏当属18A制程（约1.8纳米等效），该工艺现已进入风险试产阶段，预计2025年末转入规模化生产。令人瞩目的是其升级版18A-P版本已完成首轮流片，性能优化后的首批晶圆即将下线。

面向明年的秘密武器：14A制程 作为18A工艺的迭代版本，14A制程（约1.4纳米等效）已启动客户对接。尽管具体量产时间未公布，但已有多个合作伙伴着手试产芯片。这批测试芯片采用了增强型PowerDirect背面供电技术，这是英特尔应对台积电InFO技术的重要筹码。

三维堆叠新纪元：Foveros Direct 3D 英特尔正式确认开发支持Foveros Direct 3D技术的18A-PT工艺版本。该技术通过混合键合实现晶圆垂直堆叠，其互连密度已与台积电现役的3D Fabric方案持平。这项突破为后续产品对飙AMD的3D V-Cache技术埋下伏笔，特别是在高性能计算领域，两颗顶尖大脑的博弈已进入白热化阶段。

代工业务全面布局 除尖端制程外，陈立武还透露了成熟制程的规划：与联电合作的12纳米项目预计将应用于物联网和车用芯片领域。值得注意的是，英特尔的晶圆代工服务正在形成"尖端+成熟"双线并进的业务矩阵。

这场发布会透露出两个关键信号：一是英特尔在半导体制造领域已重启技术冲锋，二是晶圆代工市场的技术角力正从平面制程延伸至三维战场。随着18A系列制程的落地，半导体巨头的三维封装竞赛或将改写行业格局。