英特尔14A节点成本揭秘！High-NA光刻机加持，晶圆单价看涨

Meise

近日，在花旗银行举办的2025年全球TMT大会上，英特尔首席财务官David Zinsner透露了关于下一代14A制程节点的经济性细节，信息量颇大，引发了业内广泛关注。

Zinsner明确表示："14A节点相比18A确实成本更高——不是说总体投资规模大幅增加，但每片晶圆的制造成本确实有所上升。这部分是因为我们计划在14A产线中采用High-NA EUV光刻设备，而这在18A节点中并未使用。"

这里所说的High-NA EUV设备，正是目前半导体制造领域最顶尖的光刻系统——ASML的Twinscan EXE:5200B。这台设备堪称"芯片制造界的劳斯莱斯"，单台售价高达3.8亿美元。正因为设备成本如此高昂，英特尔很可能不得不提高14A晶圆的报价，才能在吸引外部代工客户的同时，保持合理的盈利水平。

不过，贵有贵的道理。英特尔宣称，14A节点将带来显著的能效提升：与18A相比，性能功耗比提升约15%到20%，换句话说，在相同性能下功耗可降低25%到35%。这背后是一系列硬核技术升级在协同发力：

首先是RibbonFET 2.0，这是英特尔Gate-All-Around（环绕栅极）晶体管架构的升级版本，能更好地控制电流、提升效率；

其次是PowerVia，这项创新技术把供电网络从晶体管正面移到了芯片背面，让电能更"直接"地输送到需要的地方，减少干扰、提高能效；

还引入了Turbo Cells（涡轮单元），也就是在标准单元库中加入了更高、驱动能力更强的单元设计，用来优化关键时序路径，提升CPU和GPU的运行频率，却不需要付出太多的面积和功耗代价。

回过头来看18A节点，它的微缩更多是依靠更高分辨率的光刻工具来实现的，好处是可以尽量避免多重曝光那样复杂又昂贵的工艺。

从这些技术细节可以看出，英特尔这次在High-NA技术上下了重注。虽然这条路投入巨大，但也是向着更先进制程迈出的坚实一步。至于能否凭借14A节点吸引到足够多的客户买单，既要看英特尔的技术是否真的具备竞争力，也要看市场是否愿意为这些性能提升支付更高的价格。

当前半导体制造领域竞争日趋激烈，台积电、三星等对手也在不断推进制程技术。英特尔此次选择在14A节点上采用High-NA EUV技术，既是一次技术上的大胆尝试，也是一次商业上的重要博弈。未来几年，这场高端制程的竞赛将会更加精彩，而14A节点的市场表现，或许将成为影响英特尔在代工领域地位的关键因素之一。

这场高端制程的游戏，真是越玩越硬核了，不仅考验技术实力，更考验企业的战略眼光和市场决断力。