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哎,各位手机内存天天告急的“空间焦虑症患者”、还有盯着AR眼镜和AI设备在想“这东西到底卡在哪”的科技爱好者们,注意了!你们手机里那块小小的闪存芯片,可能马上要迎来一波大升级。就在今天,2026年1月28日,存储大厂铠侠(KIOXIA)扔出来一个重磅消息:他们开始给客户送样全新的QLC UFS 4.1嵌入式闪存了。
简单说,这玩意儿就是未来一两年里,你买到的旗舰手机、高性能平板,甚至一些轻薄本和AR设备里,那个“肚量”更大、“干活”更快的存储核心。
你可能会问,QLC是啥?听起来很技术是吧?咱用人话唠。你可以把存储芯片想象成无数个小格子,以前主流的TLC技术是每个小格子里存3个数据位(bit),而现在这个QLC呢,更“挤”一点,每个小格子里要塞进4个数据位。好处显而易见——在同样面积的芯片上,能塞下更多的数据,实现更大的容量。 但以前为啥不用?因为格子里的数据位越多,区分和读取起来就越容易出错,速度也容易慢,不耐用。
那为啥铠侠现在又敢拿出来了呢?这就得说到背后的技术进步了。这次的新品,用上了他们家第八代的BiCS FLASH 3D闪存技术,更重要的是,控制器的技术和纠错能力也跟上来了。这就好比以前是个管理能力一般的仓库管理员,格子一多就手忙脚乱;现在换了个超级AI管理员,不仅能把密密麻麻的格子管得井井有条,存取货的速度还能更快。
所以,这次QLC UFS 4.1的性能提升,可不是挤牙膏。官方给了个对比上一代(UFS 4.0/ BiCS6 QLC)的数据,看着挺带劲:
顺序写入速度,提升了 25%。就是你传个大电影进去,能快上四分之一。
随机读取速度,暴涨了 90%。这直接关系到你点开App、加载游戏地图的快慢,几乎翻倍了。
随机写入速度,更夸张,提升了 95%。这影响的是你拍照连拍、或者应用在后台频繁保存小文件时的流畅度。
除了快,它还有个关键指标叫“写入放大系数”也优化了,最高能改善 3.5倍。这个太技术,你只需要知道,这能让芯片在长期使用后,速度衰减更慢,更“健康长寿”。
为了把这么多东西塞进更小的空间,这次的技术还有个狠活,叫 “CBA” ,全称是“CMOS直接键合至阵列”。你可以把它理解成一次建筑学革命:以前存储单元和外围电路是“分居”的,现在用先进工艺把它们直接“焊接”成一栋更紧凑、内部沟通效率超高的摩天大楼。结果就是,整个芯片的封装尺寸,从上一代的11×13毫米,缩小到了 9×13毫米。省出来的这点地方,对于手机内部那种“寸土寸金”的空间来说,可是太宝贵了,能让手机厂商有地方塞更大的电池或者别的零件。
目前首批样品提供了 512GB 和 1TB 两种容量,完全遵循最新的JEDEC UFS 4.1标准,并且向下兼容。它还支持“WriteBooster”功能,能进一步飙高瞬间写入速度。
显然,这玩意儿首要目标就是解决高端智能手机和平板的“存储饥渴症”。现在随便一个大型游戏、4K视频、RAW格式照片,都是吃存储的大户。但它的野心不止于此,像需要轻薄长续航的笔记本电脑、网络设备、AR/VR眼镜、物联网设备,以及那些本地需要处理AI任务的边缘设备,都是它的潜在战场。
铠侠美国公司的副总裁也说,这反映了他们在架构和设计上的持续创新,就是为了让客户能造出能力更强的移动和互联产品。
所以,你看,这场存储升级背后,其实是整个移动和智能设备对“既要马儿跑,又要马儿吃得少(占空间小),还要马儿驮得多(容量大)”的极致追求。当AI能力越来越往手机、眼镜这些终端设备上下放的时候,一个高速、大容量的“数据仓库”,就成了必不可少的基础设施。
好了,技术细节唠完了。最后想问问大家,如果你的下一部手机告诉你,它用了这种新的QLC UFS 4.1闪存,1TB版本可能比原来更便宜或者加量不加价,但理论寿命可能比顶级TLC略低一点点(当然日常用基本感觉不出来),你会愿意尝鲜吗?还是说,你对手机存储最在意的,究竟是绝对的容量,还是绝对的速度和耐用性? 评论区,聊聊你的看法呗。
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