内存祖师爷英特尔杀回来了！联手软银搞垂直堆叠，要革HBM的命

麻薯滑芝士

哎哟我去，今天这瓜可太大了！那些觉得AI芯片战局已定的老铁们，赶紧把手里瓜子放下——芯片圈老炮儿英特尔，刚刚一脚踹开了尘封四十年的记忆抽屉，抡起胳膊准备在DRAM市场重新画圈了！没错，就是那个它曾经统治了九成江山、又在1985年灰头土脸退出的内存生意。2月2号，它官宣了：跟软银旗下那个名字挺拗口的子公司SAIMEMORY勾肩搭背，要一起捣鼓一个叫 “Z-Angle Memory” 的玩意儿，简称ZAM。

您先别懵，我给您捋捋。这事儿可不是小打小闹，时间线都拍出来了：2026年第一季度（对，就是今年！）正式开搞，2027年出原型样品，瞄准2030年大规模上市。英特尔呢，主要出技术和创新支持，软银那边负责开发和商业化砸钱。据日本《电子工程时报》 从软银发言人那儿抠出来的消息，这“Z-Angle”里的“Z”，指的就是那个垂直的Z轴！意思明摆着：他们要往上堆，玩立体叠叠乐。软银已经准备先砸进去大约300亿日元，一直供到2027财年原型做完。

看到这儿，可能有些年轻的小伙伴要问：英特尔？做内存？它CPU都整不明白……打住！老玩家们估计已经笑出声了。这可是英特尔祖上真正阔过的行当！华尔街见闻的报道直接掀了老底：早在1970年，英特尔就搞出了世界上第一个商业上成功的DRAM芯片，巅峰时期全球市场占有率接近90%，那是绝对的霸主。后来咋没的？因为日本人杀进来了，价格战打到英特尔扛不住巨额亏损，终于在1985年把这条业务线给卖了，彻底离场。

所以，今天这新闻的味儿就对了——老兵不死，只是凋零，但瞅准机会，他真想杀回来啊！ 那么核心问题来了：是啥让英特尔觉得时机到了？它手里到底捏着什么秘密武器，敢在已经被三星、海力士、美光三巨头焊死的DRAM铁板上撬缝儿？

官方说法是，SAIMEMORY正在搞一种堆叠式DRAM架构，目标就是干翻当前的HBM标准。想实现啥效果呢？容量更大、功耗暴降、封装能力更强，直指现在AI系统疯狂扩张遇到的核心瓶颈：内存墙。

这技术底气从哪儿来？根子藏在英特尔和美国桑迪亚国家实验室的长期合作里。今年1月份桑迪亚实验室的一份更新，不小心把英特尔一个叫 “下一代DRAM键合” 的技术给剧透了。桑迪亚说，现在的HBM这类高带宽内存，常常是用容量去换带宽，拆东墙补西墙。但英特尔这个NGDB技术，就想鱼和熊掌兼得，目标是填平HBM和传统DDR内存之间的鸿沟，同时能效还高得离谱。

他们放出了一张内部测试组件的剖面图，结构相当妖：一个底座上面，直接垂直堆了八层DRAM。桑迪亚强调，这不光是新的堆叠方法，连里面的DRAM架构都是新的。早期原型验证了堆叠能突破容量限制，而最新原型已经证明，用这新方法堆出来的DRAM，是全功能、能干活儿的！

用项目首席技术成员格温·沃斯库伊伦的话说：“这次演示证实了，NGDB技术组合起来，能提供适合大规模量产的高性能内存。” 瞧见没，实验室里成了，下一步就是工厂里见。

如果和桑迪亚的合作是打地基，那这次拉上软银，就是英特尔在DRAM赛道上鸣枪起跑的真正信号。日经新闻的报道给出了更诱人的数字：SAIMEMORY的目标是做出容量是现在HBM 2到3倍、功耗却能降低多达一半、成本还差不多甚至更低的怪物。

华尔街见闻的分析更具体：他们打算靠垂直堆叠多个DRAM芯片，再配上英特尔自家的EMIB先进封装技术来优化芯片间连接。这样一来，目标就量化了：相比现在的高端方案，内存容量翻倍（每个芯片最高到512GB）、功耗砍掉40%-50%、大规模生产成本压到只有现在HBM的60%左右。

当然，路还长，挑战一大堆。但华尔街见闻也指出，SAIMERY这种低功耗、差异化的打法，对英特尔来说确实是个机会点。它不一定立刻去跟三巨头在通用市场血拼，而是可以在边缘计算、中小型AI服务器这些领域先撕开一道口子，甚至可能重塑整个内存行业的技术路线图。

想想英特尔现在的处境吧——CPU市场被挤着，代工业务亏着，AI芯片追着跑，压力山大。这场时隔四十多年的“内存复辟”，绝不仅仅是情怀。它更像是英特尔在AI浪潮拍打之下，必须抓住的一根重塑增长轨迹的救命稻草，或者叫战略支点。AI火越旺，对高性能、大容量、低功耗的内存渴求就越疯。英特尔这回，是把宝押在了“堆叠”这个技术路径上，想用一场垂直革命，在AI内存的淘金热里，当回卖铲子的狠角色。

所以，别光看GPU和CPU打架了。内存战场，这位沉睡的老国王，已经睁开了眼。2030年，好戏可能才刚刚开场。咱们，走着瞧呗。