联华电子推出14nm eHV FinFET技术平台，面向手机DDIC等应用

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联华电子（联电、UMC）近日宣布推出用于显示驱动 IC 的 14nm eHV（嵌入式高压）FinFET 技术平台，宣称可较其最先进的量产 eHV 制程（基于 22nm）降低 40% 功耗、节省 35% 芯片面积。

联电表示 22nm eHV 制程支持更小型、轻薄的驱动模块设计，进一步延长移动设备的电池续航，支持高阶与折叠式 OLED 智能手机显示应用。

在数字电路方面，联电 14nm eHV 不仅采用了 3D 晶体管结构，还通过优化的 I/O 元件设计与更高的驱动速度，进一步提升电气效能，确保信号完整性，同时支持高分辨率显示应用所需的高刷新率。此外，优化后的中电压组件具备更小的线宽间距并支持更广泛的电压操作范围，为驱动电路设计提供更高的弹性。

联电技术研发副总经理徐世杰表示：

显示应用无所不在，市场需求将持续朝向更高画质、更快速度与更低功耗发展。联电很高兴能在显示驱动 IC 市场中持续领先，此次 14 纳米 eHV 平台的推出，是我们首次将 FinFET 技术导入显示驱动领域，具有重要里程碑意义。随着客户产品功能不断升级，联电将持续以领先的制程技术，协助客户将创新构想化为可量产的成果。