消息称SK海力士将在大连二厂建设“200层中段”FG NAND产线

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据韩媒 the bell 当地时间 5 月 28 日报道，SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段”（250 层左右）的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。

几大闪存原厂目前均在其 3D NAND 中采用 CT（电荷阱）结构，唯有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 生产线。SK 海力士大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 的量产能力。

韩媒表示，SK 海力士去年完成了 200 层以上 FG NAND 的研发工作，现在正向量产转移。其计划 2026Q3 建设一条中试线，相关设备采购已然启动，后续目标到 2027H2 实现全面量产。

相较 CT，FG 结构更适合每单元比特数更高的 QLC NAND 闪存。而 AI 尤其是推理工作负载对不重写入的读取密集型 SSD 有着很高的需求，这正是 QLC 的用武之地。另一方面，技术路线的延续也有利于 Solidigm 开发工作保持连贯。