存储芯片新王登基：SK海力士1c DRAM明年一季度全面上位，HBM4E同步提速

麻薯滑芝士

哈喽大家好，欢迎来到今天的科技硬核解读。各位每天盯着韩国存储器股票K线图做波段操作的A股股民，你们是不是正在根据最新的产能数据调整下半年的仓位配置，生怕错过下一波存储芯片的涨价行情；各位在阿里云、腾讯云、华为云的机房里面熬夜值班的服务器运维工程师，你们是不是正眼巴巴地等着HBM4E早点量产，好让你们手头那些跑大模型训练任务的GPU别再因为显存带宽不够用而频繁报错；各位在小米、OPPO、vivo、荣耀的供应链部门负责存储芯片采购的经理，你们是不是已经开始测算明后年的内存颗粒采购成本走势，准备提前锁定供货合同了；各位在清华大学、北京大学、上海交通大学、中国科学院大学的人工智能实验室里跑大模型微调和推理的博士生，你们是不是每次看着GPU显存占用率达到百分之九十几就恨不得把内存条插满整个服务器机箱；各位在韩国本土券商如未来资产证券、NH投资证券做半导体行业研究的高级分析师，你们是不是已经把SK海力士和三星电子的1c良率爬坡曲线画了无数遍，就差把工厂的监控录像拿来逐帧分析了；各位在北京中关村、深圳华强北、上海虬江路卖服务器内存条和显卡的经销商，你们是不是也在关心新一代DRAM颗粒什么时候能大量铺货到零售市场；各位在虎嗅、36氪、品玩、爱范儿等科技媒体写深度分析和行业观察的编辑，你们是不是正愁这周没有什么真正硬核的选题能引爆读者评论区；各位纯粹是刷手机时不小心点进来看看的数码爱好者和装机玩家，你们是不是就想搞清楚明年装电脑该不该等新的内存技术普及，以及现在的DDR5内存条会不会降价。不管你属于上面哪一类人，今天这条关于全球存储芯片产业格局即将发生重大变化的消息，你都应该放下手里的瓜子，认认真真花几分钟把它看完。

就在昨天，全球知名半导体市场研究机构集邦咨询TrendForce发布了一则引起行业震动的重磅报道，这篇报道大量引用了韩国主流财经媒体朝鲜商业报Chosun Biz和韩国国家通讯社韩联社Yonhap News的多篇最新采访和独家消息，全面披露了韩国存储芯片巨头SK海力士在先进DRAM制造工艺上的最新进展和战略布局。根据朝鲜商业报拿到的内部人士爆料，SK海力士目前正在以一种前所未有的速度和力度，疯狂扩大其第六代10纳米级DRAM——也就是行业内部技术人员口中常说的1c工艺——的生产规模和产能占比。这家韩国存储巨头之所以如此急不可耐地推进工艺换代，背后有一个非常明确且紧迫的战略目标：1c DRAM将成为他们下一代高带宽内存HBM4E的核心基础芯片，也就是业内俗称的die或颗粒。换句话说，没有1c工艺的成熟和大规模量产，SK海力士就无法在2027年如期推出HBM4E，从而可能失去在高性能AI内存市场上的领导地位。

这里有必要给大家稍微科普一下什么是HBM4E，以及它为什么如此重要。HBM的全称是高带宽内存，它是一种通过先进封装技术把多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，再通过硅中介层与GPU或CPU紧密整合的特殊内存产品。HBM3E是目前市面上最主流的AI加速卡标配内存，广泛应用于英伟达的H100、H200以及AMD的MI300X等产品上。而HBM4是HBM3E的下一代产品，预计数据传输带宽会有大幅提升，HBM4E则是HBM4的进一步增强版本，可以理解为HBM4的终极形态或者加强版。按照行业惯例，每一代HBM的带宽都会在前一代的基础上实现接近翻倍的提升，而HBM4E作为HBM4的强化版本，预计其数据传输速率将会突破每秒2TB甚至更高的大关。这个数字有多夸张呢？举个例子，目前顶级的DDR5内存条的单根带宽也不过每秒几十GB，而HBM4E一根的带宽就相当于几十根DDR5内存条捆在一起。对于训练GPT-4这样动辄数千亿参数的大语言模型来说，HBM4E简直就是救命稻草，因为大模型训练的最大瓶颈往往不是算力不够，而是显存带宽不够，导致GPU核心经常处于等待数据的状态，利用率上不去。现在全球各大云计算厂商都在疯狂采购AI服务器，英伟达的Blackwell架构GPU已经供不应求，排队周期长达数月，而下一代基于ARM架构的Rubin平台预计在2027年正式登场，届时对HBM4E的需求将会呈现出井喷式的增长态势。SK海力士显然看到了这个千载难逢的市场机会，所以才会不惜投入巨额资金扩产1c DRAM，确保到时候能拿出足够多的HBM4E来喂饱这些吃显存不吐骨头的AI计算怪兽。

回到SK海力士在1c工艺上的产能爬坡这个话题，我们来看看朝鲜商业报挖到的具体数据到底有多劲爆。今年第一季度，也就是2026年1月到3月这段时间里，1c DRAM在SK海力士总的DRAM产量中所占的比例只有大约10%。到了第二季度，也就是2026年4月到6月，这个比例缓慢地爬升到了13%。乍一看，这个增速确实不算惊艳，甚至可以说有点温吞，尤其是当你把目光投向SK海力士的两个主要竞争对手时，这种落差感会更加明显。在同一时间段内，三星电子的1c DRAM产量占比已经达到了大约16%，而美国存储芯片巨头美光科技更是冲到了19%的水平。换句话说，在今年上半年结束的时候，SK海力士在1c先进制程的产能布局上其实是处于落后位置的，被三星和美光压了一头。但是，真正的转折点出现在今年下半年。根据朝鲜商业报援引的内部预测数据，今年第三季度，也就是2026年7月到9月，SK海力士的1c DRAM产量占比将像坐了电梯一样直线飙升到大约24%，几乎比第二季度翻了一番。到了第四季度，也就是2026年10月到12月，这个数字将进一步攀升到34%。这个34%意味着什么呢？意味着SK海力士将在今年年底之前一举超越三星电子——后者同期的预测值大约是31%——成为全球三大存储厂商中1c工艺产能占比最高的那一家。而进入2027年第一季度，也就是明年1月到3月，SK海力士的1c占比预计将达到35%，届时上一代主力工艺1b的占比将回落至大约33%。这个35%对33%的交叉，标志着1c工艺将首次在SK海力士内部超越1b，正式成为出货量最大、最核心的DRAM制造工艺。这种逆袭的速度在半导体行业里其实相当罕见，因为先进制程的产能爬坡通常需要一年以上的时间才能达到规模效应，但SK海力士只用了短短两个季度就从落后变成了领先，这背后必然是对良率控制和技术成熟度有着极强的信心。

SK海力士在今年第二季度的财报电话会议上也明确提到了这一点。公司高层管理人员在会上向投资者和分析师透露，1c DRAM的出货量在第二季度就已经开始出现显著的环比增长，而且进入下半年之后，随着HBM4的出货量持续放大，整体的比特增长率还会进一步加快。这里需要解释一下什么叫比特增长率，这个术语听起来有点绕，但其实很好理解：它就是存储芯片总容量的产出增长速度，你可以把它理解为一家存储工厂的“产量增速仪表盘”，这个指标直接关系到公司的营收规模、毛利率水平和净利润表现。除了用于HBM4的高端DRAM颗粒之外，基于1c工艺制造的通用型DRAM——也就是我们日常使用的台式机、笔记本电脑和企业级服务器里插的那种标准DDR5内存条——它的出货量预计也会随之同步扩大。朝鲜商业报在报道中特别补充了一句，SK海力士正在积极推动1c工艺向更多的产品线渗透，从最高端的HBM到最主流的消费级内存条，实现全覆盖。这意味着明年你在京东或天猫上买到的DDR5内存条，有很大概率就是基于1c工艺生产的，理论上它的运行频率会更高、工作电压会更低、发热量会更小。对于喜欢折腾硬件的DIY玩家和超频爱好者来说，这无疑是个好消息，因为更先进的制程往往意味着更好的能效比和更大的超频潜力。

更有意思的一个看点在于，面对同一个HBM4市场，三星电子和SK海力士这两家韩国存储双雄居然走了两条截然不同的技术路线，这在整个行业历史上都不多见。朝鲜商业报的报道明确指出，三星电子在HBM4产品中大胆采用了最新的1c DRAM作为基础核心芯片，目标是把数据传输速率做到大约每秒11.7Gbps。这个速度是什么概念呢？目前市面上最快的HBM3E内存的数据传输速率大约在每秒9.2Gbps到9.8Gbps之间，而三星的目标值直接比这个水平高出将近20%到25%，可以说是追求极致性能的典型代表了。三星的想法很简单也很直接：既然我的1c工艺已经开发出来了，那我就要用它来打出性能牌，用更高的带宽来吸引那些对算力极度饥渴的AI客户。而SK海力士这边则走了一条稳健保守的路线，他们在HBM4中继续使用已经经过大规模量产验证、良率非常成熟的1b DRAM，配合自家独有的MR-MUF先进封装工艺。MR-MUF的全称是批量回流焊模塑底部填充技术，这是一种能够有效提升堆叠良率和散热性能的先进封装方法，SK海力士正是靠着这项技术在HBM3E时代拿下了绝大部分市场份额，包括英伟达在内的头部客户都对这套方案给予了高度认可。SK海力士的策略非常清晰：先保证稳定供货，用可靠的产能和优秀的良率来巩固自己在HBM市场的领先地位，而不是盲目追求纸面上的峰值性能。而三星则希望通过更强的性能参数来抢客户、夺份额。这两种打法各有各的道理，最终谁能赢得更多订单，可能要等到明年大批量交货时才能见分晓。不过有一点可以肯定，三星在HBM4上采用1c DRAM是一步风险不小的棋，因为1c工艺目前才刚刚开始放量，良率还在爬坡阶段，如果在这个过程中出现任何质量问题，可能会影响整个产品的交付周期和客户信任度。而SK海力士用成熟的1b加上MR-MUF的组合，虽然性能上限可能略低于三星的方案，但胜在稳定可靠，对于那些追求供货保障的大型云厂商来说，稳定性和及时交付往往比那一点点带宽提升更重要。

除了产品层面的直接竞争，SK海力士加速转向1c工艺还有一个非常重要的经济层面的考量，那就是成本和生产效率。通过采用更先进的制造工艺，每一片晶圆能够切割出更多的DRAM颗粒，也就是提高了每片晶圆的比特产出量。这样一来，平均到每一个比特上的生产成本就会下降，有助于提升整个DRAM业务的盈利能力和毛利率水平。朝鲜商业报援引行业观察人士的分析称，从今年下半年开始，1c工艺带来的成本竞争力改善将逐渐体现在SK海力士的财务报表上，这对于投资者来说是一个积极的信号。不过，一位不愿意透露姓名的业内人士也给这个乐观预期泼了一点小小的冷水。这位业内人士指出，这种工艺转型要想真正产生实际的价值，前提条件是量产良率必须持续改善，同时客户对新产品的认证和导入进度也要跟得上SK海力士的产能扩张节奏。如果良率迟迟达不到预期的目标水平，或者客户对1c DRAM的验证周期比预想的更长，那么大规模的产能扩张反而可能变成沉重的库存负担。所以，接下来的几个季度，SK海力士能否顺利通过良率爬坡和客户认证这两道关卡，将是决定这次1c工艺转型成败的关键所在。

如果我们把目光从眼前的1c之争移开，往更远处眺望，就会发现这场存储芯片先进制程的竞赛其实已经悄然延伸到了下一代技术——第七代10纳米级DRAM，也就是行业内部俗称的1d工艺。根据韩国媒体The Bell的最新报道，三星电子在1d DRAM的开发进度上明显占据了先机。三星的计划是在今年9月份之内完成1d工艺的技术开发工作，然后从今年12月开始启动量产前的各项准备工作。而SK海力士这边的节奏就要慢上半拍了，他们预计要到今年12月才能完成1d的开发，量产准备则要等到2027年6月才开始。这一前一后算下来，SK海力士在1d工艺的整体进度上比三星晚了整整六个月。按照目前的规划，三星最早可能在2027年底前后就能进入1d DRAM的初步量产阶段，而SK海力士由于启动时间更晚，它的量产时间表很可能还会进一步向后推迟。更有意思的是，这两家公司对1d工艺的应用方向也已经有了各自的初步规划。三星计划将1d DRAM用于未来的HBM5E产品，这款产品预计要到2030年左右才会正式推向市场。而SK海力士到目前为止还没有对外公布1d的具体应用计划，外界对此充满了各种猜测和想象。可以预见的是，随着AI大模型训练和推理需求的持续爆发式增长，存储芯片的先进制程竞赛只会变得越来越激烈，从1c到1d，再到未来的1e、1f，每一步的技术迭代都将决定各家公司在下一个十年的市场地位和话语权。对于三星来说，在1d上抢占先机，不仅可以弥补在1c上暂时落后的局面，还能为HBM5E打下坚实的技术基础，可谓是一箭双雕。而SK海力士虽然暂时落后了半年，但凭借在HBM领域多年积累下来的深厚技术功底和客户关系，未必不能在1d时代后来居上，毕竟技术开发的进度并不等同于量产的良率和客户的认可度。

最后，我想跟各位聊几句我对这件事的整体看法。回顾整条存储芯片产业链的发展脉络，你会发现一个非常清晰的趋势：DRAM制造工艺的技术迭代正在从过去的按部就班、三年一换代，转变为现在的加速冲刺、两年甚至一年半就推陈出新。过去，每一代DRAM工艺的生命周期通常长达三到四年，厂商有充足的时间慢慢爬坡、慢慢优化。但现在不一样了，由于AI服务器对高带宽、低功耗内存的需求呈现出指数级的增长态势，下游客户根本不给你慢慢来的机会，他们恨不得你今天宣布新技术，明天就能大规模供货。这种市场压力迫使上游的存储厂商不得不缩短每一代工艺的换代周期，谁跑得快谁就能吃到最大的那块蛋糕。SK海力士在1c上的激进扩产，以及三星在1d上的抢先布局，本质上都是在争夺未来五年AI基础设施建设的核心供应权。对于手里持有相关股票的投资者来说，眼下最值得关注的不是某一个季度的产能占比数字，而是各家公司在良率爬坡和客户认证这两个关键环节上的实际执行力和交付能力。谁能率先实现高良率量产并通过头部客户的严格验证，谁就能在HBM4E和后续产品的订单分配中占据绝对主动。对于普通的消费者和DIY装机玩家来说，短期内可能感受不到这些技术迭代带来的直接影响，但从长远来看，更先进的制程意味着更高的能效比和更低的单GB成本，这些好处最终一定会反映到我们花钱买到的内存条价格上。至于那些一直关心和支持国产存储芯片发展的网友们，这个消息同样值得我们深思——当三星、SK海力士和美光这三巨头已经在1c和1d上杀得难解难分的时候，我们与国际先进水平之间的差距依然是客观存在的，追赶的道路还很长很长。不过换个角度来看，有差距就意味着有成长的空间，有竞争就意味着有弯道超车的机会。未来几年，存储芯片这个赛道上演的商战大戏，绝对会比任何一部好莱坞大片都更加精彩，也更加扣人心弦。各位不妨把这篇文章收藏起来，等到明年这个时候再翻出来看看，看看我今天说的这些预测到底准不准。