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芯研所消息,ASML第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,和前代产品相比生产力提高了约15-20%,套刻精度提高了约30%。
据了解,本次交付的TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机的EUV光源波长13.5nm左右,物镜NA数值孔径0.33,第二代EUV光刻机将会是NXE:5000系列,物镜NA提升到0.55,进一步提高光刻精度。
ASML表示,正努力增加EUV光刻机在存储行业的量产应用,计划协助三个DRAM内存芯片客户在未来的工艺节点中导入EUV。
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