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100家元
用四串飞度电容做了均衡板,方案为两个。一个是单沟道30V 70A的NMOS加2200uF 6.3V的电解电容,另一个为30V 10A的双沟道MOS加100UF的1206 贴片陶瓷电容。主控采用XING2103,信号输入采用555反相器。在测试的时候单沟道第一个MOS熔断,双沟道第一个MOS烧掉,即如图U70与Q21。熔断MOS以后用钳表测试其他路仍有均衡电流。最大压差0.4V,均衡电流0.3A。对烧MOS的现象百思不得其解。希望各位大佬能解惑答疑。感谢!
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你图纸都抄不明白,明明原图驱动芯片的高端地也是接负极GND的,你却偏搞个PAGND出来。
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