可控硅导通状态下的G极电压应该是多少？

猪小呆 · 发表于 2024-2-4 15:20:38

在用ltspice做可控硅的电路模拟的时候，发现可控硅导通后G极的电压只比A极的电压稍微低一点点，图中绿线部分为导通后的G极电压，红线为K极电压。设想如果是220V的交流电，那么可控硅导通后G极也将有220V的电压，这是正常的吗？如果是正常的，不会烧坏G极的东西吗？

fengwx2008fe · 发表于 2024-2-4 20:00:27

大概0.6~0.7吧

2n3055 · 发表于 2024-2-4 16:50:48

只有说可控硅触发电流的，没有关注可控硅G极电压的
首先，根据可控硅的特性，G极只能往里灌电流，不能往外出电流
其次，根据可控硅内部构造，G极一般很细很小，可以把它看成一个内阻极大的电源，
有电压却没电流输出能力，真要强行往外输出，只有烧坏G极一个后果
至于G极电压，如果浮空的话可能很高，如果是接上触发变压器那样的元件，那和K极之间电压基本就是0。

猪小呆 · 发表于 2024-2-4 16:39:39

这个参数是啥意思看不懂：
VFGM: Peak forward gate voltage. This voltage may instantaneously occur across the gate and cathode
terminals if a strong initial gate pulse with a short rise time and high amplitude is applied and the anode
current rises with a high di/dt.