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本帖最后由 qrut 于 2020-10-18 14:46 编辑
东芝的32g字库
反面
火化后
分离底部pcb后,右面是pcb及其走线。
之前拆过小容量的,这个32g的容量较大,内部硅片几乎和外面树脂封装一样大,而且分4层结构,我也是第一次见到。
为了有限面积加大容量也是拼了
这面是和pcb粘合的那面,硅片内部引脚由金线从四周引出,再和底部pcb相连。
分解过程破坏了原有的连接结构,表面黑糊糊的胶粘物质,刮干净只露出镜面般的硅片,这一面没有什么东西。
薄刀片分离一层后
侧面特写,看起来是黑色,实际也是亮晶晶的断面。非常的薄,而且非常的脆,轻轻一碰就碎。
取一小块碎片,刮掉胶粘物质后。
露出存储单元,波浪矩阵结构。
剩下3层
继续刮下第3层背面,和第4层一样,镜面效果。
刀片分离第3层
左面第3层反面,右面第3层正面。
同样取一小块碎片刮掉正面胶粘物质后,顶部一行折断的金线引脚。
同样波浪结构的存储矩阵
换个角度
还剩2层
继续分离第2层
可以看到四周残留的金线
左面第2层反面,右面第2层正面。
这次取个大面积的碎片,刮掉胶粘剂比较麻烦,稍微大一点力就碎裂,这个费了点功夫。
左上
左下
右上
右下
大体结构布局和前两层基本无异
最后一层,第1层。
这次从正面树脂开始
剥离一些树脂
表面出现金线
这个结构比较奇特,引脚不应该都在四周吗。
在第1层表面又分离一片很小的硅片,左上线路布局把水平金线桥接到垂直方向,右下线路集中一点连接。
这是反面,拍摄角度原因,看着是黑色,实际上是镜面效果。
猜测只是为了承载桥接连通正面金线,用刀片刮了几下,果然有金属物质脱落。
第1层正面,结构和前三层基本等同。
最后来一张右下表面高倍特写
可以看到此emmc由4片8g存储单元粘合在一起来组成32g总容量,看来厂商为了提高容量不单单工艺制程方面的提高,而且在封装物理结构上也向立体化发展。
此帖结束,谢谢观赏~
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