国产芯再进阶中芯国际55nm进入小批量试产阶段

swblswbl · 发表于 2022-9-2 08:22:50

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近日，中芯国际在发布了2022年半年财报的同时也公布了公司的核心技术情况，中芯国际成功开发了 0.35 微米至 FinFET 的多种技术节点，主要应用于逻辑工艺技术平台与特色工艺技术平台。

2022 年上半年，多个平台开发按计划进行，稳步导入客户，正在实现产品的多样化目标。报告期内，55纳米BCD平台第一阶段已完成研发，进入小批量试产。

其他在研的工艺还包括FinFET衍生技术平台、22纳米低功耗工艺平台、28纳米高压显示驱动工艺平台、40纳米嵌入式存储工艺平台、4XNOR Flash工艺平台等等，都是国内领先的工艺水平，适用于智能家居、消费电子、AMOLED屏幕、汽车电视、电源管理、虚拟显示等等领域。

liuhaob · 发表于 2022-9-2 08:37:32

国产芯片任重道远啊

leafchy · 发表于 2022-9-2 08:43:05

还在55纳米阶段，这个道路远着呢。

l0577 · 发表于 2022-9-2 08:54:00

已经有14nm的，这个可能是一种新的工艺

sjtx1971 · 发表于 2022-9-2 09:10:19

本帖最后由 sjtx1971 于 2022-9-2 09:11 编辑

这篇文章说的不清楚，这个55nm是BCD工艺，目前世界上最先进的是90nm，55nm已经领先世界了

1980年代初期，当时的SGS微电子（SGS Microelettronica）的工程师为了解决各种电子应用问题，提出了一个革命性的构想：

1）创造一种将晶体管和二极管集成在一颗芯片上的技术，并能够提供数百瓦功率；

2）用逻辑控制功率，实现方式需要遵循摩尔定律；

3）最大限度地降低功耗，从而消除散热器；

4）支持精确的模拟功能；

5）以可靠的实现方式满足广泛的应用需求。

1984年SGS的工程师成功将Bipolar/CMOS/DMOS/Diodes通过硅栅集成在一起。BCD首个器件是L6202电动机全桥驱动器，采用4微米技术，12层光罩，工作电压60V，电流1.5A，开关频率300kHz，达到所有设计目标。这个新的可靠工艺技术让芯片设计人员能够在单个芯片上灵活地集成功率、模拟和数字信号处理电路。