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虽然在2025年，英特尔牌NAND闪存已经G了，但市面上还是流传着它的传说 其中一项便是英特尔的绝活：缩CE！ 严谨的说其实是把两个CE合并为一个CE（Chip Enable） 你只需要将VSP点位接地，也就是如下图中红色框框圈出来的地方接起来就行 ，至于连接方式嘛，推荐使用一坨锡或者0R阻值的0201电阻。
可以看到有三组VSP点位 理论上，VSP0和VSP1是英特尔颗粒专属，用于分别控制左右CE的合并功能 而VSP2则是镁光颗粒专属的合并功能 可惜镁光仅在少量地方应用过此功能，暂时无法倒推出这个功能的具体使用方法，故暂当VSP2没啥屌用
回归正题 缩CE有几种缩法： 16→8、8→4、4→2、2→1、1→0.5
16→8 英特尔的L06B制程为单Die 32G，为了做到单颗512G，愣是塞进去16个Die，导致BGA132封装的8个CE针脚不够用，必须启用CE合并功能，将16CE合并为8CE，这就是29F04T2AWCMG2特殊跳线的由来 在没有跳VSP跳线的时候，它的ID就是很普通的256G L06B的ID，而跳好后它就变成了1CE 2Die的正常512G L06B
既然有这种缩CE的功能，那我们就可以手动使单颗粒的CE数折半，从而使主控/板子能支持的最大容量翻倍 在颗粒上8个CE的代号布局大致如下图所示 （请注意，计算机的世界是从0开始的，所以5号其实是第6CE）
8→4 连接好VSP的同时，把颗粒的0、4连接，2、6连接，1、5连接，3、7连接 同时扣掉，或者用高温胶遮住，总之物理性质的屏蔽掉板子上的4、5、6、7号焊盘
能理解这个操作逻辑吗？ 简单的说就是以后颗粒的4、5、6、7号CE从板子的0、1、2、3号CE焊盘走数据，如果再让颗粒的4、5、6、7号CE与板子的4、5、6、7号焊盘连接，则会导致CE信号错乱，所以我才叫你们直接扣掉板子、板子、板子上的CE焊盘！
4→2 与8→4原理类似，4→2是把颗粒的0和2号连接起来，1和3连接起来
很明显4567号点位是没有CE的，所以如果你偷懒，依旧采用8→4的操作方式就会缩CE失败 而如果8→4采用4→2的操作方式，又会出现奇怪的兼容性问题，比如某些只支持单面4CE的板子 总之它俩只是原理类似，实战起来是有区别的，缩之前各位一定要慎重选择！
2→1 and 1→0.5 2→1和1→0.5的操作仅存在于理论上，因为很明显它们的CE距离都太远了 特别是1→0.5，也就是用2颗1CE的颗粒去合成一个CE，你要么化身飞线仙人，要么化身画板仙人 总之这都不是普通人应该想的事
其他问题 1.缩CE时要注意原颗粒的情况 我遇到过一颗奇怪的英特尔08T颗粒，具体什么型号我忘了，但啥都不做就这么读它的CE会发现CE是乱的，搞的我还以为颗粒拆坏了 然而实际情况就是一边是颗粒内部已经跳好VSP，一边是需要你手动短接VSP
2.缩CE会降低性能 虽然合并后依旧是单颗粒2通道，但由于采用外置激活，信号会有所衰减，而且很明显做不到信号等长，跑不了高频 但换个方向看，都增加一倍容量了，能否补充损失的性能，还得具体情况具体分析~~
为了这个破事，我得专门把VSP相关的东西掏出来和大伙聊聊 （就是为了这碟醋，我才包的这个饺子！）
然而，ONFI5.0与缩CE的冲突大伙也不用这么紧张，因为很明显英特尔并没有活到能冲突的时候，就连后的N38制程也都是ONFI4.0的... 镁光那边缩CE的机制暂时没研究明白，就更不用在意这个功能相关的东西 不知道这算是幸运还是不幸
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发表于 2025-2-21 17:40:41
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