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之前咸鱼瞎逛看到 创见的“SM2246EN”拆机主控板很便宜，就买了两块，到手后焊上缓存发现根本不识别。一研究，才发现所谓双缓存位置只是主板基板公用的焊盘，主控实际上是2246XT大头主控，人家卖的人也说得是XT，是我自己没看见。
这款主控板同款底板也是有2246EN版本的（图从网上找的）
当时上网搜索了下，论坛里其实已经有针对这款补全缓存电路的帖子：https://www.mydigit.cn/thread-412285-1-1.html
但考虑到我手头根本不缺2246EN的主控板，4贴必须上46EN的MLC颗粒常见的四贴也就512G，根本没必要上两颗缓存。所以这两块板就在我手里闲置了大半年
最近拆了个1.92T企业盘，查了下发现内容颗粒是很嚣张的8颗H27Q2T8CEB9R 4CE-8DIE（也可能是16DIE?）
我找了16贴双缓存位实际试过了各种姿势，都无法开出2TB容量的32CE-64DIE，看了不少帖子都说2246en极限基本就在这了，1T好开，2T难做
这款颗粒四贴开1T就需要降低不少参数才能勉强开出来了。开出来的1TB 16CE速度也不怎么样，确实也能感觉到到极限了
所以就想起了去年搞到的双缓存大头46XT主控板，常见颗粒四贴嫌少，这个256G单颗，4贴1T就不少了
拆一条2G D3内存条正好等于四颗一样的D3 512M颗粒，每个主控板用两颗
只要能把两块双缓存主控板补好，就能有两块完全一样的1T盘了，用两颗D3-512颗粒，还能节省昂贵的单晶1G D3缓存
找到以前别人补的帖子，实践过程中发现其中略有一些错误。还有一些也不算错，但是没点明其所以然。
就考虑把自己研究过程中整理的补全笔记共享出来，便于其他补这个的人参考
正面相对于简单，只需要换成2246EN主控，补一个240Ω小电阻，等全补完后测一下内存供电出没出，电压正常再上DDR颗粒
反面要补的比较多，当手头垃圾固态的料板足够多的时候，凑齐这些东西并不难，实在没有就买吧，内存电容都很便宜。供电芯片一般也就3毛以内
R1/R2的电阻阻值不一定要我说的300K和200K，也可以用你手头现有的电阻值，前提是符合以下公式（摘自TLV62565供电芯片手册）：
这里电阻阻值不能太小，一般都是百K这个量级的，可以依据自身需求调整输出是1.5V或1.35V，我这里默认的1.5，因为这个电压两种D3都能用
供电芯片也不一定要和创见一样上德州仪器丝印SIK的这款TLV62565，这款理论上极限输出电流为1.5A，1.5*1.5=2.25W
啥D3颗粒2颗能用2瓦以上啊，电脑整条内存条也就3W，固态跑RDT时候也就3.5W
实际上固态里D3的频率非常低，总计也只有32位，这些都是降低功率的举措，我自己实际选用了1A的也能正常用，盲猜0.8A的也没啥问题（不过0.8A的芯片反而更罕见了）
以下是我整理的可替代料号，其中框起来的是固态板上常见的，可以从料板里拆出
补完后不要急着上电，先测一下DDR供电正不正常，不确认万一你贴错的调压电阻，直接输出了3.3V甚至5V给DDR颗粒烧了怎么办
测量点位参考DDR3-96球针脚定义，摘自DDR3芯片手册，这里截图是双晶颗粒，不过没差，供电部分一样的
芯片VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压，而VSS是接地点，也就是测量R1、R9、N1、N9出没出你想要的1.35或者1.5V
确认都OK就可以上内存颗粒，进行缓存测试了，46EN的开卡工具好用多了，我电子手工活还算熟悉，焊接过程没任何问题，都是焊完一测一遍过缓存
焊好再开卡，速度真不怎么样，这个颗粒两颗四颗都一个速度，这款颗粒是有原厂NVME产品的，所以速度远不止这点，是2246EN的固件发挥不出来
开卡过程中两颗还可以默认设置直接开，四颗改了不少参数
最后两块盘都做好装壳，两块1T入库
另外一提，补完这个点电路，从料板里找的供电芯片还有剩的，想起好些年前买分两次买的两个M2-SATA转接盒里，后买的那个被简配掉一路供电
翻出来看了下结构，还正好也能用这种5脚芯片，简单量了一下电路，和芯片手册里结构大差不差，材料齐全，电路也能看懂。自己就补了一路
虽然最后实测可知，效果没任何区别，这个盒子里的单路电路内芯片极限输出3.3V 2A，足够市面上绝大多数M2 SATA固态用了
实测我手里的有缓4贴M2-SATA固态在重度随机读写的尖峰是输入5V 0.7A，就算上转换95%供电效率，也就是3.7W=3.3V*1.12A，单路余量都充足。
原盘早期双路共计4A属于设计余量过分多了。
估计最早画电路的时候选型的芯片是我们前面用的1A的，所以两路。后面物料切换到单颗2A供电芯片后少贴一路，同输出能力能省一些旁路的电容电感。不过好像也不对啊，早买的那块同价格也有2路都是2A的豪华用料版本。只能说 降本增效，JS难料
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雷达卡
发表于 2024-9-22 02:00:49
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千斤顶
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