294 层！长江存储第五代 NAND 闪存开启出货

土耳鸡烤鸡

TOP2 1月30日消息：国际权威科技网站TechInsights最新报道，长江存储已开始向客户交付第五代3D NAND闪存芯片。该芯片采用创新性的混合键合封装技术，总堆叠层数达294层（有效存储层232层），存储密度攀升至19.8Gb/mm²，与SK海力士最新产品基本持平，距离铠侠/西部数据的最新一代差距已缩小至技术代际内。

技术细节对标国际大厂
此次流片的第五代芯片基于长江存储自研Xtacking 4.0架构，首次在存储阵列与逻辑电路间应用混合键合互连技术。该工艺可大幅提升数据传输效率，目前仅有三星、美光等头部厂商在高端产品中部署。尽管SK海力士计划推出的321层芯片在有效层数上仍占优，但长江存储的总层数突破标志着其在三维堆叠领域的持续突破。

值得关注的是，该芯片采用业界主流的TLC（三阶存储单元）设计，单颗Die容量为1Tb（128GB），通过多Die封装可扩展至更高容量。不过具体接口速率、耐久性参数等关键指标尚未披露。行业分析师指出，Xtacking 4.0架构的引入为后续推出Xtacking 5.0奠定了基础，后者或将支持超过300层的堆叠方案。

低调出货背后的战略考量
与以往高调举办技术发布会不同，长江存储此次选择“静默上市”，既未公布产品型号也未进行媒体宣发。业内人士认为，这种策略或与美国对华半导体设备出口管制持续加码有关——采用混合键合技术需依赖先进封装设备，而低调出货可降低供应链风险。TechInsights在报告中强调：“从技术路线看，长江存储已完全掌握国际主流存储厂商的核心封装标准。”

国产存储的突围之路
尽管面临外部环境压力，长江存储的迭代速度仍超出市场预期。2022年其第三代产品（128层）投入量产后，仅用两年时间便完成四代（232层）至五代（294层）的跨越。供应链消息称，长江存储武汉二期工厂已导入第五代产线设备，预计2024年第三季度实现全产能运转。

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长江存储已开始向客户交付第五代3D NAND闪存芯片