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本帖最后由 Meise 于 2025-2-23 22:25 编辑
"传统内存技术的天花板要被捅破了?"在闪迪2.0投资者大会上,这家存储行业领军企业展示了其创新的3D矩阵内存技术(3D Matrix Memory)。这项技术突破性地将存储容量提升至DRAM的四倍,同时实现成本减半,直指当前内存市场面临的容量瓶颈与成本难题。
根据现场披露的技术路线图,3D矩阵内存采用与比利时微电子研究中心IMEC共同开发的密集阵列架构,在保持兼容CXL等开放标准的前提下,通过新型存储单元设计实现密度跃升。官方数据显示,该技术将在第六年实现每比特成本较DRAM降低超50%,形成持续的成本下降曲线。
技术演进历程显示,该项目自2017年启动研发,历经单器件测试、被动阵列验证等阶段,计划在2024年完成从150毫米实验线向300毫米量产线的关键过渡。首批样品预计达到32-64Gbit容量级别,尽管具体性能参数尚未公布,但技术架构已展现出可扩展性优势。
在存储产品布局方面,闪迪同步公布了SSD容量升级计划:128TB数据中心级产品已投入市场,2026年将推出256TB版本,2027年实现512TB商用,并计划在未来数年内突破PB级存储门槛。这种阶梯式扩容节奏,与3D矩阵内存的量产进程形成技术协同。
分析认为,这项技术的问世恰逢其时。随着DRAM领域摩尔定律失效,全球内存市场正面临制程升级放缓与成本攀升的双重压力。3D矩阵内存的出现,不仅可能缓解处理器与内存间的性能失衡,更为数据中心、人工智能等高性能计算场景提供了新的解决方案。不过,新技术从实验室走向规模化商用,仍需克服量产稳定性和实际效能验证等现实挑战。
从战略层面观察,独立运营后的闪迪正通过技术创新重塑市场竞争力。此次发布的技术路线既包含短期可落地的产品规划,也布局了面向未来的存储架构突破,展现出企业在行业变革期的技术储备与市场洞察。存储技术的迭代竞赛,或将由此开启新的篇章。
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