ASML前技术负责人领衔 中国团队突破EUV光刻光源关键技术

Meise

近日，《中国激光》期刊披露重要研究成果：由荷兰ASML前光刻光源技术负责人林楠带领的中科院上海光机所团队，成功搭建基于固态激光的极紫外光光源实验平台。这项突破为我国自主研制高端芯片制造设备带来新希望。

ASML作为全球唯一能生产EUV光刻机的企业，自2019年起被禁止向中国出口最先进设备。如今，林楠团队开发的创新方案或将为行业带来转机。这位曾师从2023年诺贝尔物理学奖得主安妮·吕利耶的科学家，2021年通过海外高层次人才引进计划回国组建团队。

研究显示，该团队采用固态激光驱动等离子体技术（LPP），实现了3.42%的光源转换效率。这一数据不仅超越荷兰纳米光刻先进研究中心2019年的3.2%，更达到商用二氧化碳激光系统效率的62%。尽管仍略低于日本宇都宫大学去年4.7%的纪录，但固态激光方案展现出独特优势。

与ASML采用的二氧化碳激光技术相比，固态激光系统体积更紧凑，电能转化效率提升四倍。团队在论文中指出，现有商用固态激光器功率已达千瓦级，未来有望提升十倍，为光刻机国产化提供新路径。目前实验平台已能满足极紫外光刻验证与掩膜检测需求，理论最大效率有望突破6%。

值得关注的是，ASML首席执行官克里斯托夫·富凯今年4月曾表示，中国可能需要多年时间才能造出EUV设备。如今这项突破性进展，标志着我国在光刻机"心脏部件"研发上迈出关键一步。随着后续优化持续推进，国产高端芯片制造设备发展或将进入新阶段。

（信息来源：南华早报SCMP Knowledge平台）