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(麻瓜慢讯 北京时间5月13日电)北大实验室爆出个大新闻!彭海林教授团队刚在《自然材料》发了篇论文,说他们用两种铋基材料搓出了全球最快晶体管。这个叫Bi₂O₂Se的二维薄片,直接把传统硅芯片按在地上摩擦——比英特尔最新3纳米芯片快40%,还少用10%的电!
秘密藏在新型"套娃结构"里。现在手机芯片用的FinFET技术好比用三根金属棍围着通道,而北大的全包围栅极(GAAFET)就像织了张金属网兜,把整个通道包得严严实实。这么一改,电流乖乖听话不"漏电",电压增益直接拉满。
特别的是他们自研的铋材料组合:Bi₂O₂Se负责导电,Bi₂SeO₅专管绝缘。用彭教授的话说,这对搭档的原子界面"比溜冰场还丝滑"。普通材料里乱窜的电子在这儿排着队通过,"就像高速路上的自动驾驶车队"。研究组搬出密度泛函理论计算和北大的纳米加工平台双重验证,性能数据确实硬核。
传统芯片进化好比给旧车装氮气加速,北大这招相当于直接造磁悬浮列车。目前实验室已经做出能跑逻辑运算的小型电路,虽然离量产还有段距离,但最令人惊喜的是工艺兼容性——现有芯片工厂的机器改改参数就能生产,不用另起炉灶。
全球芯片界现在可热闹了。台积电、三星刚把3纳米玩明白,就被这个二维晶体管踢出性能赛道。彭教授团队的比喻很形象:"别人在扩建高速公路,我们直接铺了条磁悬浮轨道"。现在压力给到硅谷巨头这边——按照摩尔定律,硅材料的物理极限就在眼前。
消息来源:麻瓜慢讯
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