英伟达CES掀桌抢HBM4头香，三巨头连夜改方案上演内存武林大会

麻薯滑芝士

哎哟我去，这2026年刚开年，科技圈就整了个大活儿！就在这周，赌城拉斯维加斯的CES 2026展会上，老黄家的英伟达（NVIDIA）可真是放了个大招，直接把下一代AI芯片“Rubin”（鲁宾）的底牌给亮出来了！最炸裂的是啥？人家直接官宣，成了全球第一个、也是目前唯一一个用上下一代超高速内存HBM4的客户！这波操作，简直就是“开局王炸”啊！

英伟达这一手“截胡”，那可真是把整个HBM内存圈子给震得七荤八素。行业老大哥TrendForce（集邦咨询）那边看得真真儿的，直接点破：英伟达这波操作，愣是让HBM4的江湖规矩都改了！它要求HBM4的传输速度（就是那个per-pin speed）必须得飙到11 Gbps（每秒110亿次传输）以上！好家伙，这门槛一设，一下就把SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）和美光（Micron）这内存三巨头给整不会了，原先的设计方案？得，赶紧打回重做吧您呐！

TrendForce说了，现在这三家巨头全都得重新提交样品（resubmitting samples）。再加上英伟达现有的Blackwell架构芯片那需求嗷嗷叫，跟饿狼似的，HBM4想要大规模量产？别想了，最早也得等到2026年第一季度末（1Q26末）​ 了！这进度，比原先预想的可要晚了不少。所以啊，TrendForce一拍大腿：现在正是时候，咱得好好盘一盘这三大内存巨头在HBM4赛道上的真本事和看家本领了！下面咱就掰开了揉碎了，唠唠他们仨的最新动态和眼前那堆“硬骨头”。

SK海力士：12层还没捂热乎，16层HBM4直接开卷！
作为现在HBM领域妥妥的“扛把子”，SK海力士这次在CES上可没藏着掖着，大大方方亮出了杀手锏——全球首发16层堆叠的HBM4！这波操作，属实是“走别人的路，让别人无路可走”。根据韩国权威电子媒体《Etnews》的报道，这个全新的16层、48GB的HBM4怪兽，是在它家已经创下速度纪录（11.7 Gbps）的12层、36GB HBM3基础上搞出来的。通过把DRAM芯片堆到丧心病狂的16层，SK海力士成功实现了容量和速度的双重暴击，带宽直接干到了每秒超过2TB（>2 TB/s）！这速度，放现实里那就是眨眼功夫传完几百部高清电影，简直离谱！

但是！《韩国先驱报》马上说了句大实话：从12层堆到16层，那难度可比从8层堆到12层大多了去了！不是简单的“+4”那么简单。报道里引述分析师的话说，搞16层HBM，那晶圆（wafer）得薄到啥程度？大约30微米（µm）！对比一下，现在主流的12层HBM用的晶圆厚度大概是50微米左右。更关键的是，制定内存标准的组织JEDEC给HBM4封装的总高度（package height）设了个死规矩：不能超过775微米！用现在的老办法堆叠，留给继续加层数的空间几乎没了！这技术瓶颈，硬得跟金刚石似的。

现在整个行业都瞅着呢，未来解决这个难题的终极方案，很可能是“混合键合”（Hybrid Bonding）技术。但SK海力士现在可不打算干等，人家就靠自家的独门绝技——MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）​ 工艺，先把良品率（yield）给稳住了！反观三星和美光，目前主要还是依赖TC-NCF（热压非导电薄膜）​ 技术。

SK海力士自己解释过，MR-MUF这招厉害在哪？它是一次性把HBM里所有垂直堆叠的芯片加热并连接起来。而TC-NCF呢？是每堆一层芯片，就得贴一层薄膜材料。谁效率高？一目了然嘛！

SK海力士还特别强调，搞12层HBM3的时候，为了控制总封装高度，里面的DRAM芯片就得比8层HBM3用的芯片薄40%！这一薄不要紧，芯片“翘曲”（warpage）就成了大问题，跟纸片儿似的容易变形。为了解决这个老大难，SK海力士祭出了“Advanced MR-MUF”（先进MR-MUF）工艺，用上了一种新的环氧塑封料（EMC material）。这一升级，散热效果直接比老版本提升了1.6倍！散热好了，芯片才不容易“中暑”罢工嘛。

台湾的《科技新报》也观察到，SK海力士虽然也在研发混合键合技术当备胎（fallback），但人家的核心战略（core strategy）很明确：就是要让自家这个领先行业的MR-MUF技术，能续多久续多久，把它的“寿命”榨干！

三星：1c纳米DRAM抢跑HBM4，混合键合暗藏杀招！
另一边，TrendForce也点出了三星的“骚操作”：跟两位老对手比，三星在HBM4上玩了个“弯道超车”！它率先采用了1c纳米级（10nm级别，第六代）工艺来制造HBM4的DRAM核心，并且连最底层的逻辑控制芯片都用了自家先进晶圆厂（foundry）的技术。TrendForce分析，这路子野啊，有望实现更高的传输速度，让三星最有可能率先通过客户认证（qualify first），甚至有机会在给英伟达更高端的Rubin产品供货时占得先机！

韩国《朝鲜商业》的报道更具体：三星已经把4纳米逻辑工艺用在了基于1c DRAM的HBM4上，并且对设计进行了精细调校（fine-tuned），最终速度直接飙过了11 Gbps，比客户要求的还猛！《Etnews》之前就爆料过，当竞争对手还在用老一代的1b DRAM节点搞HBM4时，三星就想用更先进的1c工艺来“改变游戏规则”（change the game）。现在，三星已经开始量产1c DRAM了，据说良品率已经接近其80%的大规模量产目标了！这进度，杠杠的。

值得注意的是，韩国媒体《Sisa Journal》透露，就在SK海力士还在用传统MR-MUF搞16层HBM的时候，三星正卯足了劲冲刺混合键合技术，目标是到2028年搞出16层的HBM4E（E估计是增强版）。不过报道也说了大实话：虽然三星已经开始给包括英伟达在内的关键客户送混合键合的HBM4样品（prototypes）了，但现在的良率嘛...低得可怜，大概就10%左右。革命尚未成功，同志仍需努力啊！

作为三大巨头里产能布局最均衡（evenly distributed capacity）的主儿，三星在HBM4时代可不止靠技术吃饭。《Etnews》报道，趁着AI需求火爆，三星计划在2026年把HBM产能直接提升50%！到年底，月产能要达到惊人的25万片晶圆（wafers）​ 左右！而且这次扩产，重点全押在HBM4上！这产能，这决心，摆明了是要大干一场。

美光：疯狂扩产，闷声追赶！
最后说说美光（Micron）。它家的HBM4是基于1-beta纳米节点制造的。在去年（2025年）12月的财报电话会上，美光就放话了：咱家的HBM4速度也是杠杠的，超过11 Gbps，行业领先水平！而且按计划，2026年第二季度（2Q26）​ 就能实现高良率量产爬坡（high-yield ramp-up）。美光特别强调，它家HBM4的底层逻辑芯片和DRAM核心芯片，从设计到制造全是自己搞定的，用的是先进的CMOS和金属化（metallization）工艺技术。这垂直整合能力，也是没谁了。

虽然关于美光HBM4的具体细节目前相对少点，但《Etnews》指出，美光正在利用其在低功耗HBM​ 方面的专长，通过锁定更多产能来挑战韩国双雄。报道还说，美光正从12层HBM4快速向16层产品推进，同时稳步提升其市场份额。这节奏，一点不慢！

韩国《New Daily》援引美光CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）的话说，美光即将投产的新加坡先进封装厂和日本广岛工厂，预计将大幅缓解（substantially ease）​ 其产能紧张的问题。有了产能加持，美光这追赶的步子，怕是要迈得更大了。

结语：HBM4武林大会，谁能笑到最后？
现在这场关于HBM4的顶级较量，已经彻底进入了贴身缠斗的决赛圈。《Etnews》点出一个关键火药桶：12层HBM4还没完全铺开呢，英伟达就已经要求在下半年供应16层产品了！这需求，逼得内存巨头们个个头皮发麻，全员进入“战备状态”。

最终结论（划重点）：​ 谁能率先攻克16层堆叠的技术天堑，谁就不仅能喂饱嗷嗷待哺的AI巨兽，更将一举夺下下一代内存市场的“铁王座”！2026年的HBM4战场，没有温情，只有硬碰硬的技术火并，咱们就搬好小板凳，等着看这场巅峰对决吧！

信息来源：​ TrendForce（集邦咨询）、Etnews（韩国电子新闻）、The Korea Herald（韩国先驱报）、TechNews（科技新报）、Chosun Biz（朝鲜商业）、Sisa Journal（时事杂志）、New Daily（新日报）等报道综合整理。