什么是CE，是DIE

争锋麦芒 · 发表于 2020-12-4 18:34:12

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玩到现在一直也不明白这最基本的原理
1.为什么镁光和英特尔不喜欢多DIE对应1CE，比如1CE+4DIE的组合，三星和东芝就喜欢1CE+8DIE的组合，这是个比喻
2.CE到底和IO有什么关系，CE是不是就是写在IO里面的程序还是IO里面的晶体管
3.产生这个疑惑的是因为见过MLC时代三星BGA152的颗粒居然是16CE，总所周知BGA152只有8个CE点位，怎么搞出来16个CE的
4.听说闪迪的有锁颗粒，还有闪迪自己改的CE是通过高低电平来实现的，闪迪能够自己封装颗粒，但是不可能改变晶圆的吧，是不是在封装的时候加了什么东西，可以自己控制CE数量

争锋麦芒 · 发表于 2020-12-5 19:50:27

perter 发表于 2020-12-4 21:23
去看看集成电路的原理就知道了，不仅仅是闪存，只要涉及到并发运行的（MCU ram rom）都有ce的概念，ce全程c ...

看过底下的帖子，现在只有一个问题不明白，到底那个BGA152的颗粒是怎么实现16CE的

争锋麦芒 · 发表于 2020-12-5 19:52:10

futurestar 发表于 2020-12-5 11:48
一个是相对总线上的概念，一个是相对设备上存在的概念

总线它不可能任由的无限扩展变大（或：变多），就跟 ...

明白的许多，只不过不知道三星在怎么实现BGA152搞成16CE的，是不是利用了外围的空点位，特殊的板子和封装

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