3D TLC颗粒“漏电王”的桂冠已经易主了，大家猜猜得主是谁？

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3D TLC颗粒“漏电王”的桂冠已经易主了，大家猜猜得主是谁？提示：西数冷数据掉速事件

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转：
现在别的论坛有人有一种说法: 我2年前买的西数SATA固态测试了没有掉速，所以得出结论不会掉速。我这里一直重点强调东芝的3D TLC。  其实有关注硬件的都知道西数的蓝盘之前是采用东芝的普通TLC 后面才改为东芝3D TLC 有段时间市场上是2种TLC的蓝盘并存，当时大家都形成一种说法要买新的3D TLC的这样性能更好。我还是大胆猜测新的东芝的3D TLC工艺或者制造有问题导致电荷泄露超出正常水平，固态厂家又没有测试出来，还是按照正常水平来做固态导致的这次的掉速门问题。因为群联主控+东芝3D TLC 马牌主控+东芝3D TLC等等都有掉速的例子。SMI+东芝3D TLC例子目前不知道是否有？是不是市场上SMI+东芝3D TLC的本来就很少？或者SMI的主控搬运老数据策略积极？这个需要更多的测试来验证.

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转来的：这个说到了闪存的工艺和设计上的问题了。

东芝bisc3/4以及 当年的三星840用的是ctf工艺 读写电压低，电荷保存能力比英特尔和现在的三星所用的fg工艺弱  现在用慧荣主控的盘还没翻过车 可能是慧荣主控自带整套成熟固件方案不需要厂商从零写固件的原因。

转：日系闪存芯片是CTF电荷撷取闪存（charge trapflash），美国则用FG浮栅极（FloatingGate）工艺，有明显派系区分。从各资料来看，目前两派都用中空圆柱形区域储存电荷，CTF工艺有绝缘层防止电子流失但占用空间，由于空间成本能用来储存电荷的区域可能会被压缩减小；FG工艺则能用更大比例的空间储存电荷，但没有绝缘层来阻止电荷流失。还有一种说法是：前者擦写寿命长，后者数据可靠性高。后者是老工艺了


从这个说法来说也基本验证了非西数、闪迪的牌子中 群联+东芝闪存、马牌+东芝闪存也掉速的固态品牌也不少的例子。估计只有一开始就重视了漏电问题的厂家才能幸免这个问题了，不过从浦科特都有问题来说估计很难了。