电阻降压的半波整流，二极管位置那么重要么？

yiguangqiang · 发表于 2022-12-30 11:33:29

在仿真一个电阻降压的半波整流电路时，发现二极管位置会有很大的影响，请大神分析分析：

一个是在稳压管前：

仿真直流建立比较快，约1秒

另一种情况是二极管在稳压管的前面：

这情况稳压要三四秒才能建立起来：

请大神分析分析是怎么回事呢……

yiguangqiang · 发表于 2023-1-1 14:37:49

天月来了发表于 2022-12-31 13:47
楼主啊，现在不要谈你仿真了，假如不考虑过多的参数问题，仅就电路图形来仿真出现时间差，那是仿真软件设计 ...

估计确实是仿真软件的问题。我把电压调整到80V也一样，所以耐压参数应该不是主要的关系……

天月来了 · 发表于 2022-12-31 13:47:32

楼主啊，现在不要谈你仿真了，假如不考虑过多的参数问题，仅就电路图形来仿真出现时间差，那是仿真软件设计问题。

那么下面根据实际参数来说道说道

首先你必须是第一张图才行，因为IN4001耐压只有50v无法在第二个图中承受220的反压。会击穿的。

而第一个图中，因为稳压管放在前面，反压通过稳压管的导通被钳制在只有零点几v，可保IN4001不会被击穿。

另外，考虑IN4001本身被击穿以后，受电阻R1影响，或许4001不会反向功率过大冒烟死翘翘，就那么击穿而已，处于50v的稳压状态，因此最后仿真那边或许考虑到此问题，居然就那么让它过几秒稳出点电压了。

725lzy · 发表于 2022-12-31 09:33:12

图1不能这么玩吧

cylaoshu · 发表于 2022-12-31 08:11:07

两个完全不同的电路。

yiguangqiang · 发表于 2022-12-30 21:31:15

邓穿石发表于 2022-12-30 17:06
图2的4001耐压不够

是不是立创的仿真不行，这里貌似无视耐压参数的……

邓穿石 · 发表于 2022-12-30 17:06:52

图2的4001耐压不够

douzi707 · 发表于 2022-12-30 16:37:47

位置不对吧

yiguangqiang · 发表于 2022-12-30 16:34:20

已经通过实际电路验证，都可以使用。
第一个比第二个来说，电阻消耗双倍的功率，比较耗电，稳压管额外增加负半周的电流，功耗增加不太多（0.7v乘以电流而正半周为12v乘以电流），电压低一个二极管压降。阻容降压只能采用这个电路。

不理解的是，对于电容来说，充电时长和充电电压都差不多，为什么第二个图的仿真，需要3秒后才能正常达到12v?

msz09861 · 发表于 2022-12-30 15:49:25

第一个电路有问题吧

全利88 · 发表于 2022-12-30 15:45:26

进来学习一下

yongshuo · 发表于 2022-12-30 15:27:24

第二图的稳压管与电容分流了，所以慢一些，但电容上的电压要高过第一图的

kgmx · 发表于 2022-12-30 14:19:22

点进来学习学习

百里128 · 发表于 2022-12-30 14:07:37

稳压后电源比原来的电压低，通过相同电阻电流小，电容充电时间长，也就是电路稳定时间长

kkdkj · 发表于 2022-12-30 13:42:17

从合理上说，第二个比较合理，第一个稳压管正负半周都在工作，不但耗电还影响限流电阻和稳压管的寿命。

从时间上来说，个人觉得稳压管不可能非常理想，在稳压值附近是有漏电的，这样就等于在电容两端并联了一个电阻，这样就会影响对电容的充电速度，正半周充，负半周放一部分，但放的小于充的，所以，虽然慢了点还是能充到满载。